双极性晶体三极管课件.pptVIP

双极性晶体三极管课件.ppt

此“教育”领域文档为创作者个人分享资料,不作为权威性指导和指引,仅供参考
  1. 1、本文档共31页,可阅读全部内容。
  2. 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  5. 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  6. 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  7. 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  8. 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多

2、三极管的电路符号NPN三极管PNP三极管CiCiCiBCiBBBiEEiEE3、三极管的电流放大作用要使三极管具有放大作用,基本条件是发射结加正向电压(正偏),集电结加反向电压(反偏)。

电流放大原理发射结正偏,发射区电子不断向基区扩散,形成发射极基区空穴向发射区的扩散可CNPB电流I。E忽略。Ec进入P区的电子IBENRB少部分与基区的EI空穴复合,形成电流I,多数EE扩散到集电结。BEB

I=I+I?ICCECBOCEC从基区扩散集电结反偏,有少子形成的I来的电子作为集电结的少子,漂移ICECBONP反向电流I。BCBOEc进入集电结而被收集,INBERBEB形成I。CEEIE

I=I+I?ICCECBOCECIII=I-I?ICEBBECBOBECBONPBEcIIBENBRBEBEIE

I与I之比称为电流放大倍数CEBE表明基极电流对集电极电流具有控制作用。这就是三极管的电流放大作用。注意:这个放大作用是指一个小电流控制一个大电流的作用。而不是能量的放大。能量是不能放大的。从这个意义上看:三极管是个电流放大元件

PNP管的分析同NPN管相同。使用时注意各极极性和电流方向:iCCiCCi++--BiBU-U+-ECCEBB+-+iUiEEUBE+EB-EENPN三极管PNP三极管

三极管产生放大作用的条件:1、内部条件:为了保证受控载流子流的传输,制造晶体三极管时应满足两个条件:a发射区掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。b基区宽度应很小,以保证I中被复合的成份少,大E部分能到达集电极,成为可控的集电极电流。2、外部条件:a发射结加正向电压(正偏)b集电结加反向电压(反偏)NPN管:UUUCBEPNP管:UUUCBE

4、晶体管的三种连接方式晶体管有三个极(发射极、基极、集电极),两个端口(输入、输出)。因此有一个极是输入、输出共用的。以NPN管为例,说明三种连接方式。a共发射极连接b共基极连接c共集电极连接iEiCCiiEiBiECBECBBBCiiiEBCEEBC注意:箭头表示电流的真实方向

5、晶体三极管的特性曲线晶体管的特性曲线是用来表示各极电压和电流之间相互关系,反映的是晶体管的性能。因为晶体管有一对输入端和一对输出端,因此,要完整地描述晶体管的伏安特性,就必须用两组表示不同端电压、电流之间关系的特性曲线来表示。以共发射极为例来具体分析。输入特性曲线:输入特性曲线是指当集—射极之间的电压U为某一常数时,CE输入回路中的基极电流I与加在基—射极间的电压U之间的关系BBE曲线。IB(?A)工作压降:硅管U?0.6~0.7V,锗区电压,硅管0.5V,锗管0.2V。BEU?1VU?0.2~0.3V。CEBEU(V)0.40.8BE

输出特性曲线输出特性曲线是指当基极电流I为常数时,输出电B路中集电极电流I与集—射极间的电压U之间的关系CCE集电极电流受基极电流控制,所以晶体三极管又称为电流控制器件曲线。NPNiCiii0B3B2B1iB3饱和放大iB2iB1iB=0uCE截止0从输出特性上,可将三极管分为三个工作区(工作状态)截止(Cutoff)、饱和(Saturation)、放大(Active)。

输出特性曲线IC(mA)100?A此区域满4足I=?I称为线性区(放大区)。2BC380?A60?A40?A120?AIB=03612U(V)9CE

IC(mA)此区域中U?U,100?ACEBE43集电结正偏,?IIU?0.3VBC,CE称为饱和区。80?A60?A2140?A20?AIB=03612U(V)9CE

IC(mA)100?A此区域中:43I=0,I=I,BCCEO80?ABEU死区电压,称为截60?A21止区。40?A20?AIB=03612U(V)9CE

i1)截止区Ciii0B3B2B1IB=0曲线以下的区域。iB3饱和条件:发射结零偏或反偏集电结反偏放大iB2iB1iB=0I=0,I=I=I(穿透电流)ICEO受温度影响很大,温度升高,BCECEO截止u0CEII增大。IBCRCCEO由于I很小,此时U近似TCEOCEUCC等于E,C与E之间相当与RBCCI断路。2)饱和区条件:发射结正偏,集电结正偏。UBBE饱和电压记为U,硅管U=0.3~0.5VCESCES锗管U=0.1~0.2V。C与E之间相当于短路。CES

3)放大区条件:发射结正偏;集电结反偏。晶体管具有放大作用。特点:①当I有很小的变化时,I变化很大。BC②U变

文档评论(0)

131****5901 + 关注
官方认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

认证主体成都禄辰新动科技文化有限公司
IP属地四川
统一社会信用代码/组织机构代码
91510100MAACQANX1E

1亿VIP精品文档

相关文档