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2、三极管的电路符号NPN三极管PNP三极管CiCiCiBCiBBBiEEiEE3、三极管的电流放大作用要使三极管具有放大作用,基本条件是发射结加正向电压(正偏),集电结加反向电压(反偏)。
电流放大原理发射结正偏,发射区电子不断向基区扩散,形成发射极基区空穴向发射区的扩散可CNPB电流I。E忽略。Ec进入P区的电子IBENRB少部分与基区的EI空穴复合,形成电流I,多数EE扩散到集电结。BEB
I=I+I?ICCECBOCEC从基区扩散集电结反偏,有少子形成的I来的电子作为集电结的少子,漂移ICECBONP反向电流I。BCBOEc进入集电结而被收集,INBERBEB形成I。CEEIE
I=I+I?ICCECBOCECIII=I-I?ICEBBECBOBECBONPBEcIIBENBRBEBEIE
I与I之比称为电流放大倍数CEBE表明基极电流对集电极电流具有控制作用。这就是三极管的电流放大作用。注意:这个放大作用是指一个小电流控制一个大电流的作用。而不是能量的放大。能量是不能放大的。从这个意义上看:三极管是个电流放大元件
PNP管的分析同NPN管相同。使用时注意各极极性和电流方向:iCCiCCi++--BiBU-U+-ECCEBB+-+iUiEEUBE+EB-EENPN三极管PNP三极管
三极管产生放大作用的条件:1、内部条件:为了保证受控载流子流的传输,制造晶体三极管时应满足两个条件:a发射区掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。b基区宽度应很小,以保证I中被复合的成份少,大E部分能到达集电极,成为可控的集电极电流。2、外部条件:a发射结加正向电压(正偏)b集电结加反向电压(反偏)NPN管:UUUCBEPNP管:UUUCBE
4、晶体管的三种连接方式晶体管有三个极(发射极、基极、集电极),两个端口(输入、输出)。因此有一个极是输入、输出共用的。以NPN管为例,说明三种连接方式。a共发射极连接b共基极连接c共集电极连接iEiCCiiEiBiECBECBBBCiiiEBCEEBC注意:箭头表示电流的真实方向
5、晶体三极管的特性曲线晶体管的特性曲线是用来表示各极电压和电流之间相互关系,反映的是晶体管的性能。因为晶体管有一对输入端和一对输出端,因此,要完整地描述晶体管的伏安特性,就必须用两组表示不同端电压、电流之间关系的特性曲线来表示。以共发射极为例来具体分析。输入特性曲线:输入特性曲线是指当集—射极之间的电压U为某一常数时,CE输入回路中的基极电流I与加在基—射极间的电压U之间的关系BBE曲线。IB(?A)工作压降:硅管U?0.6~0.7V,锗区电压,硅管0.5V,锗管0.2V。BEU?1VU?0.2~0.3V。CEBEU(V)0.40.8BE
输出特性曲线输出特性曲线是指当基极电流I为常数时,输出电B路中集电极电流I与集—射极间的电压U之间的关系CCE集电极电流受基极电流控制,所以晶体三极管又称为电流控制器件曲线。NPNiCiii0B3B2B1iB3饱和放大iB2iB1iB=0uCE截止0从输出特性上,可将三极管分为三个工作区(工作状态)截止(Cutoff)、饱和(Saturation)、放大(Active)。
输出特性曲线IC(mA)100?A此区域满4足I=?I称为线性区(放大区)。2BC380?A60?A40?A120?AIB=03612U(V)9CE
IC(mA)此区域中U?U,100?ACEBE43集电结正偏,?IIU?0.3VBC,CE称为饱和区。80?A60?A2140?A20?AIB=03612U(V)9CE
IC(mA)100?A此区域中:43I=0,I=I,BCCEO80?ABEU死区电压,称为截60?A21止区。40?A20?AIB=03612U(V)9CE
i1)截止区Ciii0B3B2B1IB=0曲线以下的区域。iB3饱和条件:发射结零偏或反偏集电结反偏放大iB2iB1iB=0I=0,I=I=I(穿透电流)ICEO受温度影响很大,温度升高,BCECEO截止u0CEII增大。IBCRCCEO由于I很小,此时U近似TCEOCEUCC等于E,C与E之间相当与RBCCI断路。2)饱和区条件:发射结正偏,集电结正偏。UBBE饱和电压记为U,硅管U=0.3~0.5VCESCES锗管U=0.1~0.2V。C与E之间相当于短路。CES
3)放大区条件:发射结正偏;集电结反偏。晶体管具有放大作用。特点:①当I有很小的变化时,I变化很大。BC②U变
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