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半导体制造工艺期末考试重点复习资料--第1页

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MESFET。

2、晶锭获得均匀的掺杂分布:较高拉晶速率和较低旋转速率、不断向熔融液中加

高纯度多晶硅,维持熔融液初始掺杂浓度不变。

3、砷化镓单晶:p型半导体掺杂材料镉和锌，n型是硒、硅和锑

硅:p型掺杂材料是硼,n型是磷。

4、切割决定晶片参数：晶面结晶方向、晶片厚度(晶片直径决定)、晶面倾斜度

（从晶片一端到另一端厚度差异）、晶片弯曲度(晶片中心到晶片边缘的弯曲

程度)。

5、晶体缺陷：点缺陷（替位杂质、填隙杂质、空位、Frenkel，研究杂质扩散和

氧化工艺)、线缺陷或位错（刃型位错和螺位错，金属易在线缺陷处析出）、

面缺陷（孪晶、晶粒间界和堆垛层错，晶格大面积不连续,出现在晶体生长时)、

体缺陷(杂质和掺杂原子淀积形成，由于晶体固有杂质溶解度造成）。

6、最大面为主磨面，与〈110晶向垂直，其次为次磨面，指示晶向和导电类型.

7、半导体氧化方法:热氧化法、电化学阳极氧化法、等离子化学汽相淀积法。

8、晶体区别于非晶体结构:晶体结构是周期性结构，在许多分子间延展，非晶体

结构完全不是周期性结构。

9、平衡浓度与在氧化物表面附近的氧化剂分压值成正比。在1000℃和1个大气

压下,干氧的浓度C0是5。2x10^16分子数/cm^3，湿氧的C0是3x10^19分子

数/cm^3。

10、当表面反应时限制生长速率的主要因素时,氧化层厚度随时间呈线性变

化X=B(t+）/A线性区（干氧氧化与湿氧氧化激活能为2eV，）;氧化层变厚时，

氧化剂必须通过氧化层扩散，在二氧化硅界面与硅发生反应，并受扩散过程

影响,氧化层厚度与氧化时间的平方根成正比，生长速率为抛物线X^2=B(t+）

抛物线区（干氧氧化激活能是1.24Ev，湿氧氧化是0.71eV）.

11、线性速率常数与晶体取向有关，因为速率常数与氧原子进入硅中的结合

速率和硅原子表面化学键有关;抛物线速率常数与晶体取向无关，因为它量度

的是氧化剂穿过一层无序的非晶二氧化硅的过程。

12、较薄的氧化层MOSFET栅氧化层用干氧氧化，较厚的用湿氧氧化，如

MOS集成电路中的场氧化层和双极型器件，以获得适当隔离和保护,20nm为

界限。

13、给定氧化条件下，在111晶面衬底上生成的氧化层厚度大于100晶面

衬底，因为111〉方向线性速率常数更大。值得注意的是温度和时间相同时，

湿氧氧化厚度是干氧的5~10倍。

14、氧化掩膜厚度一般用实验测量方法获得，主要取决于特定温度和时间下，

不能使低掺杂硅衬底发生反型,典型厚度为0。5um~1.0um。

15、二氧化硅中各掺杂杂质扩散常数依赖氧的密度、性能和结构。

16、MOS器件受氧化层中的电荷和位于二氧化硅—硅界面处势阱影响。

17、势阱和电荷的基本类别：界面势阱电荷Qit（由于二氧化硅-硅界面特性

产生，取决于这个界面的化学组分，势阱位于二氧化硅—硅界面处，能态在

硅禁带中，界面势阱密度有取向性,用低温450℃氢退火进行钝化处理）；固定

电荷Qf（很稳定，难充电或放电，一般是阳性）；氧势阱电荷Qot（与二氧化

硅缺陷有关，可以通过低温退火处理消除）；可移动离子电荷Qm（由于钠或

其它碱性离子玷污导致,高温和高电场时可在氧化层中移动，改变阀值电压)。

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