TCI-电子级硅基材料产品质量分级要求.pdf

ICS03.120.01

CCSA00

T/CI

团体标准

T/CIXXXX—20XX

电子级硅基材料产品质量分级要求

Qualitygradingrequirementsforelectronicgradesilicon-basedmaterialsproducts

（征求意见稿）

20XX-XX-XX发布20XX-XX-XX实施

中国国际科技促进会  发布

T/CIXXXX—20XX

目次

前言II

1范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

4分级原则1

5分级要求2

5.1纯度2

5.2晶体结构2

5.3电阻率2

5.4杂质含量2

5.5得分规则3

6分级细则3

6.1分级类型与频率3

6.2记录3

6.3人员3

7标志、包装、运输和贮存3

7.1标志3

7.2包装3

7.3运输4

7.4贮存4

8分级报告4

I

T/CIXXXX—20XX

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由中国国际科技促进会提出并归口。

本文件起草单位：北京通标华信标准技术服务有限公司等。

本文件主要起草人：乐志斌等。

II

T/CIXXXX—20XX

电子级硅基材料产品质量分级要求

1范围

本文件规定了电子级硅基材料产品质量分级要求的术语和定义、分级原则、分级要求、分级细则、

标志、包装、运输、贮存和分级报告等。

本文件适用于各类电子级硅基材料产品的质量分级，包括单晶硅和多晶硅等。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T191包装储运图示标志

GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T1551硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法

GB/T1553硅和锗体内少数载流子寿命的测定光电导衰减法

GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

GB/T1555半导体单晶晶向测定方法

GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法

GB/T12962硅单晶

GB/T14140硅片直径测量方法

GB/T14264半导体材料术语

GB/T14849.1工业硅化学分析方