双极型晶体管课件.pptVIP

晶体管的结构和类型晶体管的电流分配关系和放大作用晶体管的特性曲线晶体管的主要参数

双极型晶体管可简称为晶体管，或半导体三极管，用BJT（BipolarJunctionTransistor）来表示。PNP型

晶体管外形及结构示意图

集电极，基极，发射极

发射区掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度，集电区掺杂浓度大于基区掺杂浓度面特点基区必须很薄，一般只有几微米

晶体管的发射结加正向电压，集电结加反向电压。

在基极与发射极之间加正向电压，基极与集电极之间加正向电压，即以基极为公共端。晶体管电源接法VCC共射接法-VEEe在基极与发射极之间加正向电压，集电极与发射极之间加一更大的正向电压，使uu，这样u0，即集电结反向偏置。CE这种接法以发射极为公共端。BEBC

（一）晶体管内部载流子的运动NRc载流子运动主要表现为发射区向基区注入电子，形成电流iE≈iEn.电子受到集电结上的电场吸引而迅速漂移过集电结，形成iCn

iEiEECn

iCiEiEBCCEOCEO如I≈0,则i≈i即CEOCB代表i对i的控制作用，越大，控制作用越强。C

电流控制作用，即i对i或i对i的控制作用。BCECiBBE输入信号VBB共发射极放大电路

iC输入信号

bVCCVNPN型电流从集电极流向发射极PNP型电流从发射极流向集电极2.电流方向不同

晶体管有三个电流i以及三个电压u、u、u，iCEBCBE

iC+-BE

（一）共射输入特性iCVCCBECEW1CE=0VBEB条输入特性曲线。CE00.20.40.6BE(V曲线。3DG4的输入特性

1.当uCE曲线与二极管的正向伏安特性曲线形状类似。CEBE(VCE移的距离很小。CECEeV

PNP型锗晶体管和NPN型硅晶体管输入特性第三节i(mA)iB(mAB20℃-CE6VCE=0V3AX1BE(VuBE(V)PNP型管，其电压极性、电流方向与NPN型管不同。正常工硅管放大工作时uBE约为0.6~0.8V，而锗管uBE约为作时，PNP型管电流uBE-0.2V~-0.3V。i为正值；电压为负值。-e

iC+-BEi(mA)04特性0.02mAiB=0CE20510152025u(V)0-u(V)2468101214

BCCEO晶体管完全截止，必须给发射结加反向电压。饱和区0.02mAiB=0-u(V)集电结正向偏置uu饱和压降CESCECES放大区C--C

表示晶体管的各种性能的指标

极限参数频率参数

表示静态（无输入信号）时的电流放大系数。即集电极电压U一定时，集电极电流和基极电流之间的关系。CECEO如图求A点的A点对应的i=6mA;i=40μA,则u(V)CCEB3DG6的输出特性

121620-

2.共射交流电流放大系数β表示动态（有输入信号）时的电流放大系数。即集电极电流的变化量与相应的基极电流变化量之比。如图求A点的βBBu(V)CE3DG6的输出特性

F点i=4mA;CG点i=2mA;C121620-

i()β表示对电流的放大作用β变大,即间距变大使用时，β只适用于指定工作点附近，特性曲线较为均匀的范围。

根据晶体管电流的分配关系

NPN管CBO是少子形成的，随温度升高而指数上升。CBO越小越好。硅管的ICBO比锗管的小得多；大功率的ICBO值较大。

ICEO是基极开路，集电极与发射极间加反向电压时的集电极电流。cebVCEO

(1)集电极最大允许耗散功率PCM

晶体管电流i与电压u的乘积称为集电极耗散功率CCE工作时，管子的P值必须小于集电极最大耗散功率P。CCM若温度升高会引起P值下降CM

中

第三节（3）集电极最大允许电流ICM使用时，若iI，晶体管的β值就要显著下降，CCM安全工作区工作在放大区

用来评价晶体管高频放大性能β0β表示低频时的β值0

（一）温度对ICBO的影响三）温度对uBE的影响

i(mA)C46810uCE(V)温度对输出特性曲线的影响

温度升高，曲线向左移，即当i一定时，u下降。BBEBECEBECBOCβ↑00.30.60.9u(V温度对输入特性曲线的影响

晶体管放大作用主要依靠它的发射极电流能通过基极传输，然后到达集电极实现的。为保证这个传输过程，必须满足两个条件。2.2.外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。晶体管具有确定的电流分配关系。如输入电流i（或i）BE确定，输出电流i就确定。表征晶体管电流控制作用的参

i(mA)B1VCECCEOBE(VCES晶体管有截止、放大、饱和三个工作区域，学习时应特别注意使管子在不同工作区的外部条件。1.截止区