半导体基础知识三极管课件.pptVIP

晶体三极管晶体三极管又称双极型晶体管(BJT)，一般由两个背靠背的PN结构成，根据这两个PN结的排列方式不同，三极管分为NPN型和PNP型两种。C集电极C集电极CBTP集电区N集电区集电结发射结集电结发射结EBBNPNP基区N基区基极基极CTN发射区BP发射区E发射极EE发射极PNPNPN型PNP型

晶体三极管晶体三极管和晶体二极管一样都是非线性器件，它的主要特性与其工作模式有关。晶体三极管有三种工作模式：?放大模式?饱和模式?截止模式

晶体三极管2.2放大模式下的工作原理放大模式是指晶体管工作在发射结正偏、集电结反偏的模式。这时它呈现的主要特性是正向受控作用，即三极管的集电极电流和发射极电流只受正偏发射结电压的控制，而几乎不受反偏集电结电压的控制。这种作用是实现放大器的基础。

晶体三极管三极管的放大作用和载流子的运动以NPN型三极管为例讨论cc三极管若实现放大，必须从三极管内部结构和外部所加电源的极性来保证。N表面看bbPN不具备放大作用e图三极管中的两个PN结e

晶体三极管三极管内部结构要求：1.发射区高掺杂。2.基区做得很薄。通常只有几微米到几十微米，而且掺杂较少。3.集电结面积大。三极管放大的外部条件：外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态，而集电结处于反向偏置状态。

晶体三极管三极管中载流子运动过程1.发射发射区的电子越过发射结扩散到基区，基区的空穴扩散到发射区—形成发射极cRc电流I(基区多子数目较IE少，空穴电流可忽略)。BbRb2.复合和扩散电子到达基区，少数与空穴复合形成基极电流I，复合IebnE掉的空穴由V补充。BB多数电子在基区继续扩散，到达集电结的一侧。图三极管中载流子的运动

晶体三极管三极管中载流子运动过程3.收集集电结反偏，有利于收集基区扩散过来的电子而形成集电极电流ICcRbI。Icn其能量来自外接电源CBOIBV。bCCRc另外，集电区和基区的少子在外电场的作用下将进行漂移运动而形成反eIE向饱和电流，用I表示。CBO图三极管中载流子的运动

晶体三极管三极管的电流分配关系ICcIII=I+ICnCBOCCnCBORcI=I+I+IECnBnEp=I+IIBEnEp一般要求IC在nbI中占的比例尽量大。IE而二者之比称共基直RbBnI流电流放大系数，即EpIeeEn一般可达0.95~0.99

晶体三极管三个极的电流之间满足节点电流定律，即I=I+IECB代入(1)式，得其中：共射直流电流放大系数。

晶体三极管上式中的后一项常用I表示，I称穿透电流。CEOCEO当II时，忽略I，则由上式可得CEOCCEO共射直流电流放大系数近似等于I与I之比。CB一般值约为几十~几百。

晶体三极管三极管的电流分配关系一组三极管电流关系典型数据IB/mA?0.00100.010.020.030.040.05I/mA0.0010.010.561.141.742.332.91I/mACE00.010.571.161.772.372.961.任何一列电流关系符合I=I+IIIII?I。ECB，BCE,CE2.当I有微小变化时，?I较大。说明三极管具有电B流放大作用。C3.共射交流电流放大系数共基交流电流放大系数

晶体三极管4.在表的第一列数据中，I=0时，I=0.001mA=ECI，I称为集电结反向饱和电流。CBOCBO在表的第二列数据中，I=0，I=0.01mA=I，BCCEO称为穿透电流。IB/mA?0.00100.010.020.030.040.05IC/mA0.0010.010.561.141.742.332.91IE/mA00.010.571.161.772.372.96

晶体三极管根据?和?的定义，以及三极管中三个电流的关系，可得故?与?两个参数之间满足以下关系：直流参数与交流参数?、?的含义是不同的，但是，对于大多数三极管来说，?与，?与的数值却差别不大，计算中，可不将它们严格区分。

晶体三极管2.2.2.三极管的电流放大作用从三极管中载流子的运动情况可知，我们只要在制造上将基区做得很薄，掺杂浓度又低，那么从发射区扩散过来的电子将绝大部分越过基区流向集电极，形成集电极电流I，只有很小一部分流向基C极形成基极电流I，三极管在制成以后，I和I的CBB比例基本保持一定。因此我们可以通过