基于IEP的高密度等离子体刻蚀过程终点检测技术.pdf

第35卷，增刊红外与激光工程2006年10月

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基于IEP的高密度等离子体刻蚀过程终点检测技术

王巍1，兰中文2，吴志刚3，姬洪2

(1．重庆邮电大学光电工程学院，重庆400065；2．电子科技大学微电子与固体电子学院，

四川成都610054；3．四川师范大学工程技术系，四川成都61007l，)

摘要：高密度等离子体刻蚀是当今超大规模集成电路常4造过程中的关键步骤。随着集成电路中器件尺寸

的缩小及器件集成密度的提高，对刻蚀过程终点的准确判断是目前所面临的一个严峻考验，传统的oEs终点

检测技术已经远远不能满足深亚微米刻蚀工艺需求。讨论IEP终点检测技术的原理，针对多晶硅栅的等离子

体刻蚀工艺，讨论了IEP终点检测技术在深亚微米刻蚀工艺中的应用，IEP预报式终点检测技术已经运用在

新近研发的HDP刻蚀机的试验工艺上，最后对IEP终点检测技术未来的发展趋势进行了展望．

关键词：IEP；高密度等离子体；刻蚀工艺；终点检测

中图分类号：TP211+．6文献标识码：A文章编号：1007．2276(2006)增B．0105．04

detectioninbasedonIEP

Endpointhighdensityplasmaetchingsystem

WANG

Weil，LANZhong—wen2，ⅥrUZhi—gan93，JIHon92

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Electronics，uEsTc，chcngdu610054，Cllina；3．Engineering如dD印artmen‘sichuan

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Abstract：Highdensi哆plasma(HDP)etchingst印inlargeintegrated

in

circuits．AsmecircuitdeVicescontinuetoshrinkinandincreasedeVice

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