半导体存储器课件.pptxVIP

（8-*）半導體記憶體

（8-*）§8.1概述半導體記憶體是由半導體器件構成的大規模積體電路,專門用來存放二進位資訊的,是任何數字電路不可缺少的一部分.

（8-*）按所用半導體器件的不同,半導體記憶體分為:1.雙極型-----工作速度快,在微機中作高速緩存2.MOS型-----功耗小,因而集成度高.用於大容量存儲,如微機中的記憶體條

（8-*）(Ultraviolet)1.只讀記憶體ReadOnlyMemory按存取方式半導體記憶體可分為:1)ROM2)PROM------programmable3)EPROMUVEPROM(Erasable)E2PROM(Electrically)資訊可長期保存,斷電也不丟失

（8-*）2.隨機存取記憶體RandomAccessMemoryRAM1)SRAM靜態隨機存取存儲器(static)2)DRAM動態隨機存儲存取器(Dynamic)任何時刻對任何單元都能直接寫入或讀出二進位資訊,斷電後資訊就丟失。

（8-*）3.順序存取記憶體SequentialAccessMemorySAMFIFOFirstinFirstoutFILOFirstinLastout順序存取記憶體的特點是先入先出或先入後出

（8-*）§8.2只讀記憶體(ROM)只讀記憶體在工作時其存儲內容是固定不變的，因此，只能讀出，不能隨時寫入，所以稱為只讀記憶體。8.2.1ROM的基本結構及工作原理ROM主要組成部分：1.地址解碼器2.存儲矩陣3.輸出電路。ReadOnlyMemory...

（8-*）A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC譯碼器K:輸出控制端輸出電路存儲矩陣字線位線簡單的二極體ROM電路

（8-*）000011111111111000000001地址A1A0D3D2D1D0內容位線A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC譯碼器K:輸出控制端字線輸入任意一個地址碼，解碼器就可使與之對應的某條字線為高電平，進而從位線上讀出四位輸出數字量。

（8-*）+VCCW3W0W1W2D0D1D2D3有MOS管的單元存儲“0”；無MOS管的單元存儲“1”。下圖是使用MOS管的ROM矩陣：

（8-*）固定ROM：在前面介紹的兩種記憶體中，其存儲單元中的內容在出廠時已被完全固定下來，使用時不能變動。PROM：有一種可編程序的ROM，在出廠時全部存儲“1”，用戶可根據需要將某些單元改寫為“0”,然而只能改寫一次。ROM的類型

（8-*）若將熔絲燒斷，該單元則變成“0”。顯然，一旦燒斷後不能再恢復。字線位線熔斷絲A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC譯碼器K:輸出控制端

（8-*）EPROM：一種可以改寫多次的ROM。它所存儲的資訊可以用紫外線或X射線照射檫去（Erasable），然後又可以重新編制資訊。存儲容量是ROM的主要技術指標之一，它一般用[存儲字數：2N].[輸出位數：M]來表示(其中N為記憶體的地址線數)。例如：128(字).8(位)、1024(字)8(位)等等。.EPROM的結構及工作原理可見《數字電子技術》P301（閻石主編）

（8-*）PN+N+G1DSG2SIO2層SIMOS---迭柵注入MOS管G1控制極G2浮柵極符號

（8-*）當S、D極間加以較高電壓（約+20~+25V)時,將發生雪崩擊穿,如果同時在控制極加上高壓脈衝(幅度約+25V,寬度約50ms),一些速度較高的電子就能穿過SIO2層到達浮置柵極,行成注入電荷。注入了電荷的SIMOS管相當於寫入了1，沒注入電荷的相當於存入了0。SIMOS--StackedgateInjuntionMetalOxideSemiconductor

（8-*）字線位線注入了電子的0010Vcc

（8-*）8.2.2ROM的應用舉例例1.用於存儲固定的專用程式。例2.利用ROM可實現查表或碼制變換等功能。查表功能－－例：查某個角度的三角函數碼制變換：地址——欲變換的編碼相應ROM中的內容——目的編碼地址碼——變數值（角度）“造表”相應ROM中的內容——函數值輸入地址(角度)?輸出函數值“查表”

（8-*）例3.ROM在波形發生器中的應用。ROMD/A計數器CP計數脈衝送示波器34A1A2A