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半導體器件基礎;1.1半導體的基本知識;本征半導體的共價鍵結構;這一現象稱為本征激發，也稱熱激發。;可見本征激發同時產生電子空穴對。
外加能量越高（溫度越高），產生的電子空穴對越多。;自由電子帶負電荷電子流;二.雜質半導體;N型半導體;在本征半導體中摻入三價雜質元素，如硼、鎵等。;雜質半導體的示意圖;;動畫演示;2.PN結的單向導電性;(2)加反向電壓——電源正極接N區，負極接P區;
PN結加正向電壓時，具有較大的正向擴散電流，呈現低電阻，PN結導通；
PN結加反向電壓時，具有很小的反向漂移電流，呈現高電阻，PN結截止。
由此可以得出結論：PN結具有單向導電性。;3.PN結的伏安特性曲線及運算式;根據理論分析：;4.PN結的電容效應;(2)擴散電容CD;1.2半導體二極體;二極體按結構分三大類：;(3)平面型二極體;半導體二極體的型號;一、半導體二極體的V—A特性曲線;二.二極體的模型及近似分析計算;;二極體的近似分析計算;例：二極體構成的限幅電路如圖所示，R＝1kΩ，UREF=2V，輸入信號為ui。
(1)若ui為4V的直流信號，分別採用理想二極體模型、理想二極體串聯電壓源模型計算電流I和輸出電壓uo;（2）如果ui為幅度±4V的交流三角波，波形如圖（b）所示，分別採用理想二極體模型和理想二極體串聯電壓源模型分析電路並畫出相應的輸出電壓波形。;0;三.二極體的主要參數;當穩壓二極體工作在反向擊穿狀態下,工作電流IZ在Izmax和Izmin之間變化時,其兩端電壓近似為常數;穩壓二極體的主要參數;*;一.BJT的結構;*;（1）因為發射結正偏，所以發射區向基區注入電子，形成了擴散電流IEN。同時從基區向發射區也有空穴的擴散運動，形成的電流為IEP。但其數量小，可忽略。所以發射極電流IE≈IEN。;（3）因為集電結反偏，收集擴散到集電區邊緣的電子，形成電流ICN。
;*;(2)IC與IB之間的關係：;三.BJT的特性曲線（共發射極接法）;(2)輸出特性曲線iC=f(uCE)?iB=const;輸出特性曲線可以分為三個區域:
;四.BJT的主要參數;2.極間反向電流;3.極限參數;（3）反向擊穿電壓;1.4三極管的模型及分析方法;;二.BJT電路的分析方法（直流）;;2.圖解法模擬(p54~56);*;1.5場效應管;一.絕緣柵場效應三極管;當uGS＞0V時→縱向電場
→將靠近柵極下方的空穴向下排斥→耗盡層。;定義：
開啟電壓（UT）——剛剛產生溝道所需的
柵源電壓UGS。;②漏源電壓uDS對漏極電流id的控制作用;（3）特性曲線;②轉移特性曲線：iD=f(uGS)?uDS=const;一個重要參數——跨導gm：;2.N溝道耗盡型MOSFET;N溝道耗盡型MOSFET的特性曲線;3、P溝道耗盡型MOSFET;4.MOS管的主要參數;本章小結
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