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半導體異質結構;9.1半導體異質結及其能帶圖;同型：n-nGe-GaAs或(n)Ge-(n)GaAs,
p-pGe-GaAs或(p)Ge-(p)GaAs,
n-nGe-Si,n-nSi-GaAs,n-nGaAs-ZnSe,
p-pSi-GaP,p-pPbS-Ge等;緩變異質結：從一種半導體材料向另一種半
導體材料的過渡發生在幾個
擴散長度範圍內。;（1）突變反型異質結能帶圖;形成異質結前;形成突變pn異質結後的平衡能帶圖;突變反型異質結平衡時;VD稱為接觸電勢差（內建電勢差、擴散電勢）;導帶底在交界面處的突變;np異質結的平衡能帶圖;（2）突變同型異質結能帶圖;形成突變nn異質結後的平衡能帶圖;Eg小的n型半導體一邊形成了電子的積累層，
另一邊形成耗盡層;pp異質結平衡能帶圖;2.考慮介面態時的能帶圖;產生懸掛鍵的示意圖;EC;巴丁極限：具有金剛石結構的晶體的表面能級
密度在1013cm-2以上時，在表面處的
費米能級位於禁帶寬度的約1/3處。;懸掛鍵起施主作用時，
計入介面態影響的異質結能帶圖;懸掛鍵起受主作用時，
計入介面態影響的異質結能帶圖;9.1.2突變反型異質結的接觸電勢差及勢壘區寬度;異質結的接觸電勢差為;熱平衡時;兩種半導體中的勢壘區寬度分別為;VD在介面兩側的電勢降分別為;若在異質結上加外電壓V,將上述公式中的
VD,VD1,VD2分別用(VD-V),(VD1-V1)及
(VD2-V2)代替即可。;9.1.3突變反型異質結的勢壘電容;9.2半導體異質pn結的電流電壓特性
及注入特性;高勢壘尖峰;低勢壘尖峰情形異質pn結;由n區注入p區的電子擴散電流密度;若n20和p10在同一數量級，則;高勢壘尖峰情形異質pn結;若m1*=m2*,則總電子電流密度;9.3半導體異質結量子阱結構及
其電子能態與特性;;;GaAs的導帶底位於布裏淵區中心k=0,
導帶底附近電子的m*各向同性;X-y平面內的平面波，對應的能量;調製摻雜異質結勢阱中的電子在與結平行的
平面內作自由電子運動，實際就是在量子阱
區內准二維運動，稱為二維電子氣。;子帶;k與（k+dk)間的電子態數;二維電子氣中單位面積單位能量間隔的子帶態密度;;3.調製摻雜異質結構中電子的高遷移率;9.3.2雙異質結間的單量子阱結構;;勢能函數;電子能量;阱內;2.價帶量子阱中的空穴能態;體半導體材料中;9.4半導體應變異質結;弛豫;9.5半導體超晶格;超晶格材料;超晶格材料的分類;Ga1-xAlxAs/GaAs能帶圖;n為整數
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