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半導體製造工藝;矽製造;冶金級多晶矽
石英礦和碳加熱至2000℃，得到液態熔融矽
冷卻後形成由大量細小晶粒結合在一起的多晶矽
SiO2+2C?Si+2CO
半導體級多晶矽
冶金級矽與HCl氣體在高溫和催化劑下反應，生成三氯矽烷SiHCl3
三氯矽烷常溫下為液態，經蒸餾提純
用氫氣將純淨的三氯矽烷還原為多晶矽單質
SiHCl3+H2?Si+3HCl;Czochralski(CZ)工藝;晶體生長過程;矽錠;晶圓製造工序
切除矽錠兩端錐形頭
打磨矽錠至合適直徑
確定晶向，打磨晶向標記平面
切片，得到晶圓(Wafer)
拋光
倒角
晶向
晶圓表面方向決定了晶圓的很多特性
不同切割方向暴露出的原子結構不同，形成電子器件的電學特性也不同;晶圓成品;矽晶圓的解理特徵;光刻技術;澱積和刻蝕
大多數澱積和刻蝕工藝不具有選擇性
少數選擇性工藝的速度太慢或成本過於高昂
光刻
複雜圖形照相式的複製到晶圓表面
所得版式可以用於選擇性的阻擋澱積或刻蝕;光刻膠
一種光敏乳膠劑
對一定波長的光非常敏感
粘附於晶圓上形成均勻薄膜
溶劑蒸發並烘烤後變硬便於處理
正膠
曝光的正膠在紫外線下分解，變得可溶
未曝光的負膠在顯影液中不可溶
正膠使用更多
負膠
曝光的負膠在紫外線下聚合，變得不可溶
未曝光的負膠在特定溶劑中可溶;曝光簡圖;顯影劑
由有機溶劑的混合物組成
可溶解部分光刻膠
顯影
顯影劑溶解部分光刻膠，暴露出晶圓表面
澱積或刻蝕只能影響到暴露的區域
定影
用更具腐蝕性的溶劑混合物剝除光刻膠
或者在氧氣氛圍中採用反應離子刻蝕對光刻膠進行化學破壞
光刻膠不能作為能夠抵擋高溫的掩模層;氧化物生長和去除;二氧化矽的特性
能夠形成性能良好的二氧化矽
可以通過在氧化氣氛中簡單加熱生長
能夠抵抗大多數普通溶劑
易溶於氫氟酸溶液
極好的絕緣體
氧化工藝
幹法：在純淨乾燥的氧氣中加熱，速度緩慢，品質很高，用於器件
濕法：在氧氣混合水蒸氣中加熱，速度加快，品質降低，用於場氧化層
澱積：在非矽材料上形成二氧化矽，通過氣態矽化合物和氣態氧化劑反應值得，用於兩層導體之間的絕緣層或保護層;氧化爐簡圖;氧化物去除;濕法刻蝕
使用稀釋的氫氟酸溶液
幹法刻蝕
反應離子刻蝕(RIE)
等離子刻蝕
化學氣相刻蝕;反應離子刻蝕;對晶圓表面形貌的影響;;;;;擴散和離子注入;擴散工藝;磷擴散工藝;;;;;矽澱積和刻蝕;單晶矽
在暴露的單晶矽表面，可以澱積單晶矽薄膜
多晶矽
在氧化物或氮化物薄膜上，將形成多晶矽;低壓化學氣相澱積(LPCVD);N型埋層(NBL)的形成;矽介質隔離;;金屬化;;;;;;;;鋁的缺點
電阻比銅大，在亞微米工藝下表現明顯
電遷徙問題
銅的優點
導電性能好
提高抗電遷徙特性;;;組裝;;DIP-8線框簡圖;;塑模成形
修整引線
標記晶片型號、號碼、其他標識碼等
測試
包裝
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