半导体制程培训清洗课件.pptVIP

半導體製造工藝流程兆聲清洗半導體製造工藝流程在噴霧的清洗的技術中，濕法清洗化學品被噴射到置於旋轉密封內片架的矽片上。每個清洗的步驟後，去離子水清洗溶液被噴射到矽片上，並且對去離子水的電阻率進行監控，以確定何時所有的化學物都被去除。噴射腔在工藝過程中被密封以隔離化學物和他們的蒸汽。完成清洗和清洗迴圈之後，腔體充入加熱的氮氣洗滌，並加速旋轉以甩幹矽片。噴霧清洗半導體製造工藝流程噴霧清洗YoursitehereLOGO半導體製造工藝流程讓我們和邁博瑞一起成長作者：Richard_Liu半導體製造工藝流程*半導體製造工藝流程沾汙經常會造成電路失效，沾汙類型主要包括如下：顆粒金屬有機物自然氧化層靜電釋放（ESD）沾汙類型半導體製造工藝流程顆粒沾汙半導體製造工藝流程顆粒沾汙半導體製造工藝流程顆粒沾汙最小顆粒0.1微米半導體製造工藝流程金屬沾汙來源：離子注入、各種器皿、管道、化學試劑半導體製造工藝流程途徑：通過金屬離子與矽片表面的氫離子交換而被束縛在矽片表面；被澱積到矽片表面。金屬沾汙半導體製造工藝流程金屬沾汙半導體製造工藝流程有機物雜質在IC制程中以多種形式存在，如人的皮膚油脂、淨化室空氣、機械油、矽樹脂真空脂、光致抗蝕劑、清洗溶劑等。每種污染物對IC制程都有不同程度的影響，通常在晶片表面形成有機物薄膜阻止清洗液到達晶片表面。因此有機物的去除常常在清洗工序的第一步進行。有機物沾汙半導體製造工藝流程自然氧化層沾汙半導體製造工藝流程ESD沾汙半導體製造工藝流程ESD沾汙半導體製造工藝流程1.空氣2.人3.廠房4.水5.工藝用化學品6.工藝氣體7.生產設備沾汙源與控制半導體製造工藝流程廠房：淨化間佈局氣流原理空氣過濾溫度和濕度靜電釋放沾汙控制半導體製造工藝流程廠房佈局半導體製造工藝流程氣流原理半導體製造工藝流程微環境半導體製造工藝流程矽片清洗方法分類①濕法清洗濕法清洗採用液體化學溶劑和DI水氧化、蝕刻和溶解晶片表面污染物、有機物及金屬離子污染。通常採用的濕法清洗有RCA清洗法、稀釋化學法、IMEC清洗法、單晶片清洗等.②幹法清洗幹法清洗採用氣相化學法去除晶片表面污染物。氣相化學法主要有熱氧化法和等離子清洗法等，清洗過程就是將熱化學氣體或等離子態反應氣體導入反應室，反應氣體與晶片表面發生化學反應生成易揮發性反應產物被真空抽去。半導體製造工藝流程沾汙名稱化學配料描述（所有清洗隨後伴隨去離子水清洗）化學分子式顆粒Piranha(SPM)硫酸/過氧化氫/去離子水H2SO4/H2O2/H2OSC-1(APM)氫氧化銨/過氧化氫/去離子水NH4OH/H2O2/H2O有機物SC-1(APM)氫氧化銨/過氧化氫/去離子水NH4OH/H2O2/H2O金屬（不含銅）SC-2(HPM)鹽酸/過氧化氫/去離子水HCL/H2O2/H2OPiranha(SPM)硫酸/過氧化氫/去離子水H2SO4/H2O2/H2ODHF氫氟酸/水溶液（不能去除銅）HF/H2O自然氧化層DHF氫氟酸/水溶液（不能去除銅）HF/H2OBHF緩衝氫氟酸NH4F/HF/H2O矽片濕法清洗化學品半導體製造工藝流程RGA清洗半導體製造工藝流程半導體製造工藝流程半導體製造工藝流程半導體製造工藝流程RGA清洗半導體製造工藝流程RGA清洗半導體製造工藝流程清洗步驟目的H2SO4/H2O2（Piranha）有機物和金屬UPW清洗（超純水）清洗HF/H2O自然氧化層UPW清洗清洗NH4OH/H2O2/H2O（SC-1）顆粒UPW清洗清洗HF/H2O自然氧化層UPW清洗清洗HCL/H2O2/H2O（SC-2）金屬UPW清洗清洗HF/H2O自然氧化層UPW清洗清洗乾燥乾燥典型的矽片濕法清洗順序：半導體製造工藝流程去離子水補給和精加工回路半導體製造工藝流程濕法清洗設備兆聲1噴霧清洗2刷洗器3水清洗4矽片甩幹5半導體製造工藝流程兆聲兆聲結合SC-1用的最為廣泛的一個濕法清洗技術是兆聲清洗。兆聲清洗在清洗的工藝中採用接近1M的兆聲能量。這種工藝在更低的溶液溫度下實現了更有效的顆粒去除即，使液溫下降到40℃也能得到與80℃超聲清洗去除顆粒的效果，而且又可避免超聲清洗對晶片產生損傷。YoursitehereLOGO半导体制造工业流程