半导体存储器及其应用课件.pptVIP

半導體記憶體及其應用一．半導體記憶體的分類DRAM動態RAM：使用電容作存儲元件，需要刷新電路。集成度高，反應快，功耗低，但需要刷新電路。5-1 隨機讀寫記憶體 記憶體中的資訊可讀可寫，但失電後會丟失資訊。1.雙極型：由TTL電路組成基本存儲單元，存取速度快。2.MOS型：由CMOS電路組成基本存儲單元，集成度高、功耗低。SRAM：靜態RAM。存儲單元使用雙穩態觸發器，可帶電資訊可長期保存。三．記憶體外部信號引線：

D0～7數據線：傳送存儲單元內容。根數與單元數據位數相同。A0～9地址線：選擇晶片內部一個存儲單元。根數由記憶體容量決定。二．記憶體結構框圖R/W(OE/WE)讀寫允許線打開數據通道，決定數據的傳送方向和傳送時刻。CS片選線：選擇記憶體晶片。當CS信號無效，其他信號線不起作用。二．記憶體結構框圖記憶體內部為雙向地址解碼，以節省內部引線和驅動器單向解碼需要1024根解碼輸出線和驅動器。如：1K容量記憶體，有10根地址線。雙向解碼X、Y方向各為32根解碼輸出線和驅動器，總共需要64根解碼線和64個驅動器。 5-1-1靜態RAMIntel6116、62645-2 只讀記憶體（ROM）工作時，ROM中的資訊只能讀出，要用特殊方式寫入(固化資訊)，失電後可保持資訊不丟失。1.掩膜ROM：不可改寫ROM由生產晶片的廠家固化資訊。在最後一道工序用掩膜工藝寫入資訊，用戶只可讀。2.PROM：可編程ROM用戶可進行一次編程。存儲單元電路由熔絲相連，當加入寫脈衝，某些存儲單元熔絲熔斷，資訊永久寫入，不可再次改寫。5-2 只讀記憶體（ROM）3.EPROM：可擦除PROM用戶可以多次編程。編程加寫脈衝後，某些存儲單元的PN結表面形成浮動柵，阻擋通路，實現資訊寫入。用紫外線照射可驅散浮動柵，原有資訊全部擦除，便可再次改寫。4.EEPROM：可電擦除PROM既可全片擦除也可位元組擦除，可線上擦除資訊，又能失電保存資訊，具備RAM、ROM的優點。但寫入時間較長。 5-2-1EPROM27165-2-2EEPROM28164．讀寫線OE、WE(R/W) 連接讀寫控制線RD、WR。 5-3 記憶體的連接記憶體與微型機三匯流排的連接： DB0～nAB0～ND0～nA0～NABN+1CSR/WR/W微型機記憶體1．數據線D0～n 連接數據匯流排DB0～n2．地址線A0～N 連接地址匯流排低位AB0～N。3.片選線CS 連接地址匯流排高位ABN+1。5-3-1記憶體晶片的擴充用多片記憶體晶片組成微型電腦系統所要求的記憶體系統。要求擴充後的記憶體系統引出線符合微型電腦機的匯流排結構要求。一.擴充記憶體位數例1用2K×1位記憶體晶片組成2K×8位記憶體系統。例2用2K×8位記憶體晶片組成2K×16位記憶體系統。例1用2K×1位記憶體晶片組成2K×8位記憶體系統。當地址、片選和讀寫信號有效，可並行存取8位資訊例2用2K×8位記憶體晶片組成2K×16位記憶體系統。CED0～7D0～7R/WR/WCECEA0～10A0～10D0～7D8～15R/WA0～10地址、片選和讀寫引線並聯後引出，數據線並列引出二.擴充記憶體容量例用1K×4位記憶體晶片組成4K×8位記憶體系統。片選方法：

1.線選法

微型機剩餘高位地址匯流排直接連接各記憶體片選線。

2．解碼片選法

微型機剩餘高位地址匯流排通過地址解碼器輸出片選信號。

多片記憶體晶片組成大容量記憶體連接常用片選方法。二.擴充記憶體容量地址線、數據線和讀寫控制線均並聯。

為保證並聯數據線上沒有信號衝突，必須用片選信號區別不同晶片的地址空間。例三片8KB的記憶體晶片組成24KB容量的記憶體。確定各記憶體晶片的地址空間：D0～7R/WCEA0～12D0～7R/WCE1A0～12CE2D0～7R/WCEA0～12D0～7R/WCEA0～12CE3ⅠⅡⅢ設CE1、CE2、CE3分別連接微型機的高位地址匯流排AB13、AB14、AB15 ABi1110987654321011109876543210 Ⅰ：1100000000000000～1101111111111111=C000H～DFFFHⅡ：1010000000000000～1011111111111111=A000H～BFFFH