半导体存储器课件.pptxVIP

**半導體記憶體

**第一節只讀記憶體（ROM）2.按使用器件類型來分一、ROM的分類1.按存儲內容寫入方式來分四、ROM的邏輯關係二、ROM的結構三、ROM的工作原理1.屬於組合邏輯電路2.陣列圖

**五、ROM的應用六、固定ROM(MROM)1.實現組合邏輯函數2.字元發生器(1)UVEPROM七、可编辑只读存储器(PROM)八、可改写可编程只读存储器(EPROM)(2)E2PROM九、快闪存储器

**第二節隨機記憶體(RAM)1.位擴展一、静态RAM(SRAM)二、存储容量的扩展2.字擴展三、动态RAM(DRAM)

**第9章半導體記憶體一、半導體記憶體概念：2.存取速度二、重要指標三、分類1.存儲量：字數N×位數M如1K容量通常指1024×8bit*高速RAM的存取時間僅10ns左右

**1.按存取方式分類：串行記憶體(SAM):SequentialAccessMemory只讀記憶體(ROM):ReadOnlyMemory隨機記憶體(RAM):RandomAccessMemoryFIFO型例：前述的單向移位寄存器FILO型例：前述的雙向移位寄存器

**第一節只讀記憶體（ROM）一.ROM的分類：1.按存儲內容寫入方式來分：固定ROM(MROM)可擦可編程ROM(EPROM)可編程ROM(PROM）UVEPROME2PROMFLASHMEMORY

**2.按使用器件類型來分二極體ROMMOS型三極管ROM雙極型三極管ROM二.ROM的結構：地址解碼器、存儲單元矩陣、輸出電路

**存儲矩陣M×N輸出電路b0b1…bN-1D0D1…DN-1地址解碼器W0…A0圖9.1.1ROM的結構框圖W1WM-1…A1AK

**結論：存1，字線W和位線b間接二極體；存0，字線W和位線b間不接二極體。三.ROM的工作原理

**11D3D2D11D0驅動器輸出電路存儲矩陣地址解碼器b3b2b1b0字線W0W1W2W3111位線VCCA1A0圖9.1.24×4位二極體ROM

**表9.1.1圖9.1.2的地址輸入與輸出狀態對應關係地址輸入選中字線ROM輸出A1A0D3D2D1D000W0101001W1111010W2010111W31101

**四、ROM的邏輯關係：1.屬於組合邏輯電路解碼器部分的輸出變數和輸入變數（包括原變數和反變數）構成“與”的關係。存儲矩陣和輸出電路部分的輸出變數和存儲矩陣的輸入變數構成“或”的關係。2.進行ROM電路的分析和設計，常用陣列圖來表示ROM的結構

**D0D1A1A0圖9.1.3ROM的陣列圖A1A0W0W3W2W1D2D3與陣列或陣列

**“黑點”代表輸入、輸出間應具有的邏輯關係（“與”或者“或”）（在存儲矩陣中，表示交叉處有二極體。）五、ROM的應用1.實現組合邏輯函數例9.1.1試用ROM實現如下組合邏輯函數。

**首先應將以上兩個邏輯函數化成由最小項組成的標準“與-或”式,即解:採用有3位地址碼、2位數據輸出的8位元組×2位ROM。將A、B、C3個變數分別接至地址輸入端A2A1A0。按邏輯函數要求存入相應數據,即可在數據輸出端D0、D1得到F1和F2,其

**ROM陣列如圖9.1.9所示111(D1)(D0)F2F1ABC圖9.1.9例9.1.1ROM陣列

**例9.1.2試用ROM設計一個8421BCD碼7段顯示解碼器電路，其真值表如表9.1.2所示。解：由真值表可見，應取用輸入地址為4位，輸出數據為7位的16位元組×7位ROM。可根據真值表直接畫出ROM的陣列圖，而不需要列出邏輯式。

**Q3Q2Q1Q0abcdefg顯示000000000010000110011111001000100102001100001103010010011004010101001005011001000006011100011117100000000008100100001009表9.1.28421BCD碼7段顯示解碼器電路的真值表

**（[]）與陣列解碼器abcdefg（Q0）（Q1）（Q2）（Q3）A0A1A2A3m0m15圖9.1.10例9.1.2ROM陣列

**2.字元發生器地址解碼器D0A2A1A0輸出緩衝器D1D2D3D4圖9.1.11ROM顯示矩陣結