半导体制造工艺流程课件.pptVIP

離子植入（IonImplant）離子植入技術可將摻質以離子型態植入半導體組件的特定區域上，以獲得精確的電子特性。這些離子必須先被加速至具有足夠能量與速度，以穿透（植入）薄膜，到達預定的植入深度。離子植入制程可對植入區內的摻質濃度加以精密控制。基本上，此摻質濃度（劑量）系由離子束電流（離子束內之總離子數）與掃瞄率（晶圓通過離子束之次數）來控制，而離子植入之深度則由離子束能量之大小來決定。

化學機械研磨技術

化學機械研磨技術（化學機器磨光，CMP）兼具有研磨性物質的機械式研磨與酸堿溶液的化學式研磨兩種作用，可以使晶圓表面達到全面性的平坦化，以利後續薄膜沉積之進行。

在CMP制程的硬體設備中，研磨頭被用來將晶圓壓在研磨墊上並帶動晶圓旋轉，至於研磨墊則以相反的方向旋轉。在進行研磨時，由研磨顆粒所構成的研漿會被置於晶圓與研磨墊間。影響CMP制程的變數包括有：研磨頭所施的壓力與晶圓的平坦度、晶圓與研磨墊的旋轉速度、研漿與研磨顆粒的化學成份、溫度、以及研磨墊的材質與磨損性等等。

制程監控量測晶片內次微米電路之微距，以確保制程之正確性。一般而言，只有在微影圖案（照相平版印刷的patterning）與後續之蝕刻制程執行後，才會進行微距的量測。

光罩檢測（Retical檢查）

光罩是高精密度的石英平板，是用來製作晶圓上電子電路圖像，以利積體電路的製作。光罩必須是完美無缺，才能呈現完整的電路圖像，否則不完整的圖像會被複製到晶圓上。光罩檢測機台則是結合影像掃描技術與先進的影像處理技術，捕捉圖像上的缺失。當晶圓從一個制程往下個制程進行時，圖案晶圓檢測系統可用來檢測出晶圓上是否有瑕疵包括有微塵粒子、斷線、短路、以及其他各式各樣的問題。此外，對已印有電路圖案的圖案晶圓成品而言，則需要進行深次微米範圍之瑕疵檢測。一般來說，圖案晶圓檢測系統系以白光或雷射光來照射晶圓表面。再由一或多組偵測器接收自晶圓表面繞射出來的光線，並將該影像交由高功能軟體進行底層圖案消除，以辨識併發現瑕疵。

銅制程技術在傳統鋁金屬導線無法突破瓶頸之情況下，經過多年的研究發展，銅導線已經開始成為半導體材料的主流，由於銅的電阻值比鋁還小，因此可在較小的面積上承載較大的電流，讓廠商得以生產速度更快、電路更密集，且效能可提升約30-40％的晶片。亦由於銅的抗電子遷移（電版移民）能力比鋁好，因此可減輕其電移作用，提高晶片的可靠度。在半導體制程設備供貨商中，只有應用材料公司能提供完整的銅制程全方位解決方案與技術，包括薄膜沉積、蝕刻、電化學電鍍及化學機械研磨等。

半導體製造過程後段（BackEnd）---後工序構裝（Packaging）：IC構裝依使用材料可分為陶瓷（ceramic）及塑膠（plastic）兩種，而目前商業應用上則以塑膠構裝為主。以塑膠構裝中打線接合為例，其步驟依序為晶片切割（diesaw）、黏晶（diemount/diebond）、銲線（wirebond）、封膠（mold）、剪切/成形（trim/form）、印字（mark）、電鍍（plating）及檢驗（inspection）等。測試制程（InitialTestandFinalTest）1晶片切割（DieSaw）晶片切割之目的為將前製程加工完成之晶圓上一顆顆之晶粒（die）切割分離。舉例來說：以0.2微米制程技術生產，每片八寸晶圓上可製作近六百顆以上的64M微量。

欲進行晶片切割，首先必須進行晶圓黏片，而後再送至晶片切割機上進行切割。切割完後之晶粒井然有序排列於膠帶上，而框架的支撐避免了膠帶的皺摺與晶粒之相互碰撞。?2黏晶（DieBond）黏晶之目的乃將一顆顆之晶粒置於導線架上並以銀膠（epoxy）黏著固定。黏晶完成後之導線架則經由傳輸設備送至彈匣（magazine）內，以送至下一製程進行銲線。3銲線（WireBond）IC構裝製程（Packaging）則是利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成積體電路（IntegratedCircuit；簡稱IC），此製程的目的是為了製造出所生產的電路的保護層，避免電路受到機械性刮傷或是高溫破壞。最後整個積體電路的周圍會向外拉出腳架（Pin），稱之為打線，作為與外界電路板連接之用。4封膠（Mold）封膠之主要目的為防止濕氣由外部侵入、以機械方式支持導線、內部產生熱量之去除及提供能夠手持之形體。其過程為將導線架置於框架上並預熱，再將框架置於壓模機上的構裝模上，再以樹脂充填並待硬化。?5剪切/成形（Trim/Form）剪切之目的為將導線架上構裝完成之晶粒獨立分開，並把不需要的連接用材料及部份凸出之樹脂切除（dejunk）。成形之目的則是將外引腳