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薄膜感測器在基底材料上用物理或化學的方法製成敏感材料薄層（幾百nm~幾μm）。薄膜熱感測器、應變片、氣敏感測器。第一節薄膜熱感測器傳統的測溫元件：熱電阻、熱敏電阻、電偶介紹兩種：金屬薄膜熱電阻、多晶矽薄膜熱電阻。

一、金屬膜熱電阻用鉑粉沉積在陶瓷基片上，厚度2μm。封裝：SMD型和引線型。

結構圖如下：Rt=R0[1+at-bt2-ct3（t-100）]（8-1）α=（Rt-R0）/（△t·R0）（8-2）

標稱電阻值有100Ω、500Ω、1000Ω

二、多晶矽薄膜熱電阻隨著微系統（MEMS）技術的發展而產生。特點：應變係數大，高溫特性好。將資訊的獲得、處理和執行部分一體化集成在同一矽襯底上，形成真正的系統。電阻率高於單晶矽。

多晶矽薄膜熱結晶結構示意圖：L-2W2W電阻率：ρ=-----------ρg+---------ρbLL

第二節薄膜應變片一、薄膜應變片簡介傳統應變片：用金屬絲粘貼或矽擴散（粘貼）的辦法製作。特點：價格便宜、結構簡單、使用方便，但由於粘貼式工藝帶來敏感層與基片之間的形變傳遞性能不好，影響了測量精度。

薄膜應變片採用濺射或蒸發的方法，消除了傳統應變片傳遞性不好的缺點。具體優點如下：1）穩定性好：蠕變和滯後低。2）使用壽命長：承受106次以上的重複加載。3）溫度係數小4）工作溫度範圍寬：多層結構可達（-100~180℃）。

6）量程大：多層結構可從0.02N~30N.成本低:製造工藝簡單、成品率高。二、薄膜應變片原理三層結構：基片-絕緣層-敏感層例：MIM結構：金屬基片-絕緣層-金屬敏感層。機理：壓阻效應。

設材料電阻率為ρ,薄膜寬度w,長度L,厚t薄膜電阻:R=ρL/wt(8-19)經推導:dR/R=dρ/ρ=π//σ//+π⊥σ⊥(8-22)薄膜材料的電阻率變化與橫向和縱向應力有關.

三、薄膜應變片的製作及特性敏感膜的製作工藝有多種。1.濺射薄膜應變片真空濺射工藝流程見書影響薄膜應變片的穩定性因素:1)蠕變2)零漂

薄膜應變片和其他應變片的比較:

2.蒸發薄膜應變片工藝與濺射工藝基本相同.第三節薄膜氣敏感測器用於檢測環境污染、易燃易爆和有毒氣體。分單膜和雙膜。最常用的敏感材料：SnO2（氧化錫）。有三種結構：燒結型、厚模型和薄膜型。

薄膜型的特點：回應速度快、靈敏度高、低功耗、選擇性好、互換性好。結構：膜後50~100nm。基片敏感膜厚膜加熱器SiO2絕緣層在基片背面

多膜感測器有兩層或三層。一、SnO2氣敏薄膜特性：遇氧化性氣體，材料電阻增大；遇還原性氣體，材料電阻增小；製造工藝：（1）化學氣相澱積（CVD）SnCl4+O2=SnO2+2Cl2（2）濺射法

二、氣敏特性與厚度、摻雜、工作溫度等相關。1.氣敏性能與工作溫度的關係氫氣含量不同的4條曲線:

2.氣敏性能與摻雜的關係摻雜稀土氧化物Eu2O3的影響:1)選擇性2)回應速度3)靈敏度