半导体器件三极管课件.pptVIP

1.3.1三极管的结构与符号两种类型:NPN型、PNP型。箭头代表发射极电流的实际方向

三极管的电流分配与控制适当的直流偏置电压在放大工作状态：发射结加正向电压，集电结加反向电压。IC+IBRCNPNVRbVoICCEVBB_

1内部载流子运动形成的电流在发射结正偏，集电结反偏条件下，三极管中载流子的运动：VCCVBB

(1)内部电流分配关系对于集电极电流I和发射极电流I之间的CE关系可以用系数来说明，定义:：共基极直流电流放大系数。它表示最后达到集电极的电子电流I与总发射极电流IE的比值。CN一般为0.98~0.999。

(1)内部电流分配关系引入后，三极管的电流分配关系为：当很小的时候，则可得如下近似式：

（2）电流控制作用*若以控制，则**若以控制，得即

(3)三种组态共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示;共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。

1.3.3三极管的伏安特性曲线共发射极接法三极管的特性曲线：输入特性曲线——i=f(v)?vCE=constiB=constBBE输出特性曲线——i=f(v)?CCEic+vC+iBb+RCCEv__RbVBEiVoVccEBBe_

1.输入特性曲线

2.输出特性曲线icV=V(1)放大区J正偏，J反偏。CEBE100uAEC饱80uA60uA64和(2)截止区：对应I?0的区放B区域，J和J都反偏，大CE40uA20uA0uAI=I=0区BC2ICBO截止区vCE041012268

输出特性曲线(3)饱和区icV=VCEBE100uAJ和J都正偏，V饱CECES80uA60uA64约等于0.3V，I?I和CB放区大40uA20uA0uA饱和时c、e间电压记区为V，深度饱和时CES2V约等于0.3V。饱CESI和时的三极管c、e间相当于一个压控电阻。CBO截止区vCE041012268

输出特性曲线总结饱和区——i受v显著控制的区域，v的数值较小CCECE一般v＜0.7V(硅管)。CE发射结正偏，集电结正偏截止区——i接近零的区域，i=0的曲线的下方。CB发射结反偏，集电结反偏放大区——发射结正偏，集电结反偏，电压大于0.7V左右(硅管)。

三极管工作情况总结三极管处于放大状态时，三个极上的电流关系：电位关系：

1.3.4半导体三极管的主要参数半导体三极管的参数分为两大类:性能参数、极限参数1.电流放大系数①直流电流放大系数a.共基极直流电流放大系数

三极管的直流参数b.共射极直流电流放大系数：=（I－I）/I≈I/I?v=constCECCEOBCB

三极管的交流参数②交流电流放大系数a.共基极交流电流放大系数α=?I/?I?VCB=constCEb.共发射极交流电流放大系数?=?I/?I?v=constCCEB

三极管的交流参数当I和I很小时，≈?、≈?，可以不加区分。CBOCEO

2三极管的极间反向电流2.极间反向电流a.集电极基极间反向饱和电流ICBOb.集电极发射极间的反向饱和电流ICEO

3.极限参数①集电极最大允许电流ICM当集电极电流增加时，?就要下降，当?值下降到线性放大区?值的2/3时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流I。CM

三极管的极限参数②集电极最大允许功率损耗PCM集电极电流通过集电结时所产生的功耗，P=IV≈IV，CMCCBCCE在计算时往往用V取代V。CECB

三极管的极限参数③反向击穿电压:反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电压的能力。a.V(BR)CBO——发射极开路时的集电结击穿电压。b.V(BR)EBO——集电极开路时发射结的击穿电压。c.V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。对于V(BR)CER表示BE间接有电阻，V(BR)CES表示BE间是短路的。

三极管的极限参数③反向击穿电压:参数测试电路BR代表击穿之意，是Breakdown的字头。几个击穿电压在大小上有如下关系：V(BR)CBO≈V＞V(BR)CER＞V(BR)CEO＞V(BR)EBO(BR)CES

三极管的安全工作区由PI和V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过CM、CM损耗区、过电流区和击穿区。

4.特征频率fnnT三极管的?值不仅与工作电流有关，而且与工作频率有关。由于结电容的影响，当信号频率增加时，三极管的?将会下降。当?下降到1时所对应的频率称为特征频率，用fT表示。

三极管的参数PfICMVRCBOVRCEOVREBOICBO参数型号CMTmWmAVV1224