半导体存储器及其应用课件.pptxVIP

半導體記憶體及其應用;一．半導體記憶體的分類;DRAM動態RAM：使用電容作存儲元件，需要刷新電路。集成度高，反應快，功耗低，但需要刷新電路。;三．記憶體外部信號引線：

D0～7數據線：傳送存儲單元內容。

根數與單元數據位數相同。

A0～9地址線：選擇晶片內部一個存儲單元。

根數由記憶體容量決定。;二．記憶體結構框圖; 5-1-1靜態RAMIntel6116、6264;5-2 只讀記憶體（ROM）;5-2 只讀記憶體（ROM）; 5-2-1EPROM2716;5-2-2EEPROM2816;4．讀寫線OE、WE(R/W)

連接讀寫控制線RD、WR。;5-3-1記憶體晶片的擴充;例1用2K×1位記憶體晶片組成2K×8位記憶體系統。;例2用2K×8位記憶體晶片組成2K×16位記憶體系統。;二.擴充記憶體容量;;;2．解碼片選法

3-8地址解碼器：74LS138;2．解碼片選法;5-3-1記憶體與單片機的連接;5-3-1記憶體與單片機的連接;8位地址鎖存器74LS373、8282;當單片機外接晶片較多，超出匯流排負載能力，必須加匯流排驅動器。;MCS-51用於擴展記憶體的外部匯流排信號：

P0.0～0.7： 8位數據和低8位地址信號，複用匯流排AD0～7。

P2.0～2.7： 高8位地址信號AB8～15

ALE： 地址鎖存允許控制信號

PSEN： 片外程式記憶體讀控制信號

RD： 片外數據記憶體讀控制信號

WR： 片外數據記憶體寫控制信號

EA： 程式記憶體選擇;5-3-3 記憶體與單片機的連接實例;5-3-3 記憶體與單片機的連接實例;四.單片機擴展記憶體實用電路;EEPROM既能作為程式記憶體又能作數據記憶體。

將程式記憶體與數據記憶體的空間合二為一。