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半導體單晶和薄膜製造技術4.1半導體單晶的製造單晶矽圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的積體電路越多，晶片的成本也就越低。但大尺寸晶片對材料和技術的要求也越高。單晶矽按晶體生長方法的不同，分為直拉法（CZ）、區熔法（FZ）和外延法。直拉法、區熔法生長單晶矽棒材，外延法生長單晶矽薄膜。直拉法生長的單晶矽主要用於半導體積體電路、二極體、外延片襯底、太陽能電池。目前晶體直徑可控制在Φ3~8英寸。區熔法單晶主要用於高壓大功率可控整流器件領域，廣泛用於大功率輸變電、電力機車、整流、變頻、機電一體化、節能燈、電視機等系列產品。目前晶體直徑可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用於積體電路領域。?
???由於成本和性能的原因，直拉法（CZ）單晶矽材料應用最廣。在IC工業中所用的材料主要是CZ拋光片和外延片。記憶體電路通常使用CZ拋光片，因成本較低。邏輯電路一般使用價格較高的外延片，因其在IC製造中有更好的適用性並具有消除Latch－up的能力。?
單晶矽也稱矽單晶，是電子資訊材料中最基礎性材料，屬半導體材料類。單晶矽已滲透到國民經濟和國防科技中各個領域，當今全球超過2000億美元的電子通信半導體市場中95%以上的半導體器件及99%以上的積體電路用矽。?
區熔法（FZ法）優缺點：可以製備大分解壓化合物半導體單晶避免熔體揮發品質大為提高4.2半導體外延製造技術半導體的外延根據向襯底輸送原子的方式可分為三種：液相外延、氣相外延和真空外延。MOCVD是一種典型的氣相外延，而MBE又是一種典型的真空外延。由於MOCVD既可以生長組份突變的異質結，又可以生長組份漸變的異質結，因此到目前為止，在半導體外延領域，MOCVD技術仍然是外延技術的主流。另外降低反應室壓力可以增加反應劑的流速，易於生長突變異質結。再有在低壓下，反應劑的濃度可以控制得很低，因此外延生長的速率也可以控制得很低。正因MOCVD在低壓下外延具有更多的優點，所以目前的MOCVD實際上都是低壓MOCVD，即LPMOCVD。
常用外延材料及其工藝
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