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中国存储芯片行业价格趋势
降价或成必然趋势
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提示:1、价格:降价或成必然趋势受益于下游
????????1、价格:降价或成必然趋势?
????????受益于下游智能手机、AI、数据中心、汽车、物联网等多极应用的驱动,存储芯片市场有望继续保持高增长。美光预计?2017?年至?2021?年,DRAM?需求复合年增长率将达?20%,NAND?位需求复合年增长率将达?40-45%。?
????????参考
发布《2018年中国AI芯片行业分析报告-市场运营态势与发展趋势预测》
图表:DRAM?需求
资料来源:
整理
图表:NAND?位需求
资料来源:
整理
????????存储芯片的涨价由供不应求开始,是否持续还得看供需。需求是缓慢增长,而供给会突然增加,随着国际大厂产能释放以及大陆存储项目稳步推进,存储芯片价格下降或成必然趋势。??
图表:存储芯片供不应求涨价
资料来源:
整理
????????DRAM?
????????需求端:下游智能手机运行内存不断从?1G?到?2G、3G、4G?升级导致移动式DRAM?需求快速增长,同时数据中心快速发展促进服务器内存需求增长。
????????供给端:DRAM?主要掌握在三星、海力士、美光等几家手中,呈现寡头垄断格局,三星市占率约为?45%。2016?年?Q3?之前,DRAM?价格一路走低,所有?DRAM?厂商都不敢贸然扩产。?
????????价格:供不应求导致?DRAM?价格从?2016?年?Q2/Q3?开始一路飙升,DXI?指数从?6000?点最高上涨到?30000?点。DXI?指数是集邦咨询于?2013?年创建反映主流?DRAM?价格的指数,目前仍维持在高位。从现货价格上看,4G?产品价格从?2018Q1?开始回落,但?2G?产品价格依旧坚挺。?
图表:内存价格指数(DXI)
资料来源:
整理
图表:DRAM?现货价格走势(美元)
资料来源:
整理
????????短期看,在大陆智能手机出货疲弱的大环境影响下,移动式内存的需求有所下降。同时,DRAM?三大厂?2018?年新增?5-7%的产能将于下半年开出。需求减弱,供给增加,供需紧张关系得到缓解,移动式内存的价格有所下降。
????????但随着全球数据中心的发展,服务器内存需求仍然旺盛,我们预计?2018?年服务器内存价格仍然会延续涨价的走势。根据韩国产业技术振兴院预测,在不考虑大陆厂商的情况下,4Gb?DARM?价格将从?2017?年的?4.71?美元降到2018?年的?4.39?元,降幅为?6.8%。?
????????长期看,随着三大厂商产能释放以及大陆合肥长鑫、福建晋华的?DRAM?项目稳步推进,产能开出后将较快地增加供给,而需求是缓慢增长,届时供过于求或将引发价格战导致?DRAM?价格大幅下降。根据韩国产业技术振兴院预测,4Gb?DARM?价格到?2019?将大幅下降至?3.53?美元;由于受到大陆厂商的影响,估计韩国?5?年后减少的?DRAM?收入为?67?亿美元。?
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图表:4Gb?DRAM?市场价格变动预测
资料来源:
整理
图表:DRAM?市场的中国变数
资料来源:
整理
????????NAND?Flash?
????????需求端:下游智能手机闪存存不断从?16G?到?32G、64G、128G?甚至?256G?升级导致嵌入式存储快速需求增长,同时随着?SSD?在?PC?中渗透率提升以及数据中心服务器数量增加导致?SSD?需求快速增长。?
????????供给端:NAND?主要厂商有三星、东芝、美光和海力士,三星同样是产业龙头,市占率约为37%。2016和2017年为NAND?Flash从2D到3D?NAND?制程转化年,产能存在逐渐释放的过程,供给缓慢增加。?
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图表:2017?年主要新增?3D?NAND?投产规划
资料来源:
整理
????????价格:供不应求导致?NAND?价格从?2016?年?Q2/Q3?开始一路飙升,最高涨幅超过?50%。随着供给端产能逐渐开出,NAND?价格从?2017H2?至今已下降20%左右。??
图表:NAND?现货价格走势(美元)
资料来源:
整理
????????短期看,智能手机销售增速疲软,2018?年上半年?NAND?需求恐不如预期,随着?3D?产能不断开出,市况将转变成供过于求,导致?NAND?Flash?价格持续走跌的机率升高。根据韩国产业技术振兴院预测,在不考虑大陆厂商的情况下,32Gb?NAND?价格将从?2017?年的?2.8?美元降到?2018?年的?1.93?元,降幅高达?31%。?
????????长期看,随着国际大厂产能释放
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