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SnSe2双层半导体的电子结构和光吸收性质研究

摘要：本论文主要研究SnSe2双层半导体的电子结构和光吸收性质，在深入了解二维新型材料SnSe2的基本性能基础之上，利用密度泛函理论和第一性原理的方法，根据原子核和电子相互作用的原理及其基本运动规律，利用自洽场法求解薛定谔方程的算法得到系统的各种性质，并计算与电子结构有关的物理、化学以及力学能力。通过MaterialsStudio软件建立SnSe2二维纳米材料的晶体结构模型，并通过CASTEPTools模块计算得到能带结构、态密度、光学性质等，分析并结合Origin软件制作能带结构图、态密度图，通过结构图及波动状况分析了解性质。

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