FIB原位制备TEM样品.pdfVIP

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FIB原位制备TEM样品--第1页

原位TEM样品制备流程

将样品和CuGrid仪器装在样品台上,调节样品感兴趣区域的高度至EucentricHeight。以

下加工如果不是特别注明,FIB的电压默认为30kV

沉积Pt保护层

1.将PtGIS预热以后伸入。如果感兴趣的区域在距离样品上表面100nm深度以内,为减

小FIB对样品的损伤,可以先用电子束沉积一薄层Pt。为增大沉积速度可以使用尽量

小的SEM电压和尽量大的束流。沉积大约2分钟之后手动停止patterning。如果感兴

趣区域更深,则可以直接用FIB沉积,速度更快。

Stagetilt0°

patternapplicationPtEDepstr.

SEM电压(kV)1-5

*或者可以用F7框定相应的面积,用DT30us的速度扫描,然后手动打开PtGIS的气阀来

实现沉积。

2.用FIB在将要制作TEM的部位沉积厚度~1um的Pt保护层。控制FIB的束流在2-

6pA/um2或者沉积束流能够在~2min的时间内完成沉积1um厚度的目标。

Stagetilt52°

patterntypeRectangle

patternapplicationPtDep

FIBcurrent2-6pA/um2

depositiontime(min)~2

*一般沉积8um*2um的矩形即可,可以使用0.3nA的FIB束流

FIB原位制备TEM样品--第1页

FIB原位制备TEM样品--第2页

粗切

将感兴趣的区域与大块样品中分离,并预加工成1.5-2um厚的薄片

1.选用较大的FIB束流用两个regularcrosssection的pattern依次将需要加工的TEM

薄片的两侧掏空。Pattern的方向终止于Pt保护层的边缘,并保持0.5~1um的距离。

Pattern的深度z比感兴趣的样品深度多出~2um,y方向设为z值的2-2.5倍。

stagetilt52°

FIBcurrent:3nA,总的加工时间3min

patterntyperegularcrosssection

patternapplicationSi

y(um)z(um)patterndirection

下面patternZ*2默认的regularCS

感兴趣的深度+2um在patternadvance将pattern

上面patternZ*2.5的rotation为180

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