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IC工艺和版图设计习题集部分有答案--第1页

IC工艺及版图设计分类习题

Ⅰ填空题

1.有一种称为0.13um2P5MCMOS单阱工艺,它的特征线宽为0.13um，互连层共有7层，

其电路类型为CMOS。

2.某种工艺称为0.35umMixedSignal2P4MPolycide3.3VProcess，请判断其特征尺寸为

0.35um，互连层共有6层，适合（适合或不适合）于设计模拟电路。

3.请根据实际的制造过程排列如下各选项的顺序：

a.生成多晶硅

b.确定阱的位置和大小

c.定义扩散区，生成源漏区

d.确定有源区的位置和大小

e.确定接触孔位置

正确的顺序为：bdace。

4.N阱CMOS工艺中，之所以要将衬底接GND、阱接到电源上，是因为阱和衬底构成的pn节反偏。

5.版图验证主要包括三方面：LVS，DRC，ERC;完成该功能的Cadence

工具主要有（列举出两个）：DIVA，DRACULA。

6.使用0.01cmΩiP型衬底顶部的8um厚的10cmΩiP型外延层制作，计算从抽取

25mA电流需要6.67×104um2衬底接触面积。假设最大允许的衬底去偏置为0.3V。

52o

7.某种铜铝合金可以安全工作于5×10A/cm的电流密度下。如果金属层厚度为8000A，

则10um宽的金属连线能承受40mA的电流；当通过氧化台阶时，金属层厚度减小

了50%，则该10um宽的金属连线能承受20mA电流。

8.CMOS工艺中集成电路中的电阻主要有__电阻，扩散电阻，poly电阻_三种。

9.CMOS工艺中某种材料工艺变化方块电阻偏差在２０％，假设特征尺寸为0.5um,工艺线宽控制维持在

10%以内。假设使用1um的线宽来绘制电阻，电阻容差25%。使用2um

的线宽来绘制电阻，电阻容差22.5%。

Ⅱ选择题

1.NMOS器件的衬底是（B）型半导体。

A、N型B、P型C、本征型D、耗尽型

2.N型半导体材料的迁移率比P型半导体材料的迁移率（C）。

A、相等B、小C、大

3.在0.13um集成电路技术中，铜取代铝成为最主要的互连金属的主要原因是：（AD）

A、铜具有更高的导电率；B、铜具有更低的导电率；

C、铜更容易刻蚀加工；D、铜具有更好的抵抗电迁移的能力。

4.在ICFB中完成一个完整的集成电路版图绘制，下列哪些文件是必需的(ABCD)

A.Technology文件B.DRC文件C.LVS文件D.Display文件

5.DRACULA做layout的DRC检查后，应该打开那个文件来看错误信息？（C）

A后缀名为drc的文件。B后缀名为lvs的文件。

C后缀名为sum的文件。D后缀名为com的文件。

6.DRACULA做layout的LVS检查后，应该打开那个文件来看错误信息？。（B）

A后缀名为drc的文件。B后缀名为lvs的文件。

C后缀名为sum的文件。D后缀名为com的文件。

7.在layout中给金属线加线名标注，即用lable按schematic的Pin的要求对所要标注的金属

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