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注意:习题中有些内容可能超出大纲的要求了,请考生仔细选取适当的练习参考。
一、判断题
1.半导体二极管最大的特点是单向导电性。(√)
2.晶体管(三极管)是有源器件,工作时需要外加直流电源为其提供合适的偏置。(√)
3.晶体管中有两个PN结,所以晶体管有PNP和NPN两种管型。(√)
4.晶体管输入特性曲线随温度的升高向右移动。(×)
5.晶体管输出特性划分成三个区,工作在饱和区时,。(×)
6.稳压管正常使用时一般是正偏的。(×)
7.场效应管是电压控制器件,晶体管是电流控制器件。(√)
8.增强型P沟道的开启电压。(×)
9.晶体管的基极与发射极之间的动态电阻(三极管等效输入电阻)与静态工作点无关。(×)
10.晶体管和场效应晶体管的微变等效模型均是受控源,晶体管是CCCS,场效应管是VCSC。(对)
二、单选题
关于稳压管下列说法不正确的是(D)。
A.也具有单向导电性
B.稳压管一般工作在击穿状态
C.稳压管也是二极管
D.稳压管不能正偏使用。
静态时,测得某NPN晶体管的三个电极的电位分别为:,则晶体管工作在(C)
A.放大区
B.截止区
C.饱和区
D.可变电阻区
[解析]:晶体管工作在不同区的条件和特点要清楚。本题就是根据不同区的条件进行判断的。本题中NPN管发射结电压集电结电压,发射结是正偏的,集电结也是正偏的。所以管子工作在饱和区。选项C是正确的。选项D是场效应管的一个分区。
某工作在放大电路中的晶体管静态时的电位分别为:,则下列判断正确的是(C)。
A.晶体管是NPN硅管
B.V1是发射
C.V2是集电
D.V3是基
[解析]:晶体管工作在放大区时,发射结正偏,集电结反偏。先从中间电位开始,中间电位是基极,然后找距离基极最近的电位(不大于1V),它是发射极,最后剩下的是集电极。NPN管的电位关系是;PNP管的电位关系是。硅管BE间的电压约为0.7V左右,锗管一般约为0.2V、0.3V左右。在四个选项中只有C是正确选项。
电路如图所示,二极管是理想的,经过分析判断(D)。
A.D导通,
B.D导通,
C.D截止,
D.D截止,
电路如图所示,二极管是理想的,经过分析判断(A)。
A.D1导通,
B.D2导通,
C.D1截止,
D.D2截止,
电路如图所示,二极管是理想的,经过分析判断电流I(B)。
A.
B.
C.
D.
[解析]:要求电流首先要正确判断管子的工作状态。本题D1是导通的,D2是截止的。D2截止(断开)的情况下,电路有回路方程:2I-6=0,所以电流是。计算是一定要注意单位。一般电压用伏特(V)电流用毫安(mA)电阻用千欧(kΩ)。默认情况下用这些单位可以不写,但计算结果要注明单位。
电路如图所示,二极管正常工作时的电压,电路中标记回路的回路电压方程是(D)。
=
A.
B.
C.
D.
电路如图所示,二极管正常工作时的电压,二极管D2的导通条件是(B)。
=
A.
B.
C.
D.
[解析]:用假想断开法。首先将所有二极管两端都断开,求二极管两端(断开点之间)的电压,注意是二极管的正偏方向的电压。此时电流i=0,所以二极管断开点两端的电压才能导通。
电路如图所示,二极管正常工作时的电压,下列结果正确的是(D)。
A.
B.
C.
D.
10.电路如图,图中元件是(B)。
A.普通二极管
B.稳压管二极管
C.晶体管
D.场效应管
电路如图所示,已知,则电路稳压的最大限流电阻R是(C)。
A.
B.
C.
D.
电路如图所示,已知,稳压管反偏漏电流忽略不计,当时,电路(C)。
A.可以稳压,
B.可以稳压,
C.不能稳压,
D.不能稳压,
某元件的微变等效模型如图所示,下列说法不正确的是(C)。
A.这是PNP管微变等效模型
B.这是NPN管微变等效模型
C.这是二极管的微变等效模型
D.模型中
[解析]:这是晶体管的微变等效模型,不管是NPN还是PNP管,微变等效模型是一样的。晶体管的输入电阻有的教材表示为,有的教材表示为。,与静态工作点有关,常温下电压当量。公式中如果电流是毫安(mA)则计算的结果是千欧(kΩ),计算时要注意单位。
电路如图所示,是场效应管微变等效模型,已知增强型N沟道场效应管(MOS)的开启电压为,则关于模型参数下列描述不正确的是(B)。
A.是夸导,标准单位是西门子(S)
B.
C.
D.
[解析]:是场效应管的夸导,单位是西门子。k是夸导系数。是由转移特性方程推导得到。转移特性有多少种表达形式:是管子的参数。,夸导系数。通过转移特性在静态工作点处对求偏导得到。跨到有多种表达式:
此处是场效应管的开启电压,多数教材表示为。分析时可根据不同的已知条件计算夸导。注意单位:当电流是毫安(mA)时,夸导是毫西门子(mS)。
已知增强型M
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