Mn掺杂纤锌矿GaN能带结构的第一性原理分析.doc

摘要

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Mn掺杂纤锌矿GaN能带结构的第一性原理分析

摘要

纤锌矿GaN是相对比较明显且稳定的相，属于直接能隙的半导体，有较大的禁带宽度值，为3.4eV，具有优良的物理、化学性质及热稳定性,介电常数也小，并且其击穿电压也高，因为拥有这样的特点从而使得它可以成为优良的光电器件材料，在高温大功率器件和高频微波器件应用前景比较广。对氮化镓材料进行适当掺杂能够成为稀磁半导体，使得它同时具有半导体材料和磁性材料的特性，其中Mn掺杂效果最为明显。本文采用第一性原理软件模拟计算出不同Mn掺杂量下，GaN的晶体学参数与能带结构的变化，研究不同浓度Mn掺杂对GaN半金属性的影响，。