倒入黑色聚乙烯片架中课件.pptVIP

光刻基本操作

一、认真核对随工单，检查随工单上的工步与片子数是否与实际相符，如果正确，将其倒入黑盒中，用倒边器检查片子是否有崩边，若有则查对随工单上是否有标明，若无，退回上步工序。确定无误后，按照随工单上的要求制作。二、光刻的主要步骤：匀胶、前烘、曝光、显影、显影后检查

?匀胶：目的：在硅片表面均匀涂上一层厚度一定的光刻胶准备工作：①、泡胶嘴、擦胶嘴、走陪片②、检查胶瓶内光刻胶（胶液面距瓶底5厘米，及时更换新胶，并填写“换胶记录表”）③、按随工单加工工步、匀胶程序

所有胶类型加工步类型程序号氧化层及氮化硅层用5#（0.8um~1.1um）铝层及钝化层用4#（1.3um~1.6um）负胶氧化层及氮化硅层用1#（0.9um~1.2um）铝层及钝化层用3#（2.2um~2.5um）正胶l注意：在匀胶过程中，如发生不明原因的报警应通知设备人员；停用5分钟以上应先匀3个陪片，方可进行正式片的匀胶

?前烘目的：将涂在硅片表面的胶內溶剂充分挥发，增强抗显影能力主要步骤：①、将匀完胶的硅片从黑色的片架中倒入白色的四氟片架中②、将硅片放入烘箱中，负胶烘15分钟，正胶25分钟③、将烘好的硅片取出，倒入黑色

?曝光目的：将掩膜版上的图形复印到硅片上主要步骤：①、检查光刻版：将光刻版放在UV灯下检查，照射背面检查是否有颗粒，若有用氮气吹掉，切忌不要吹正面②、装版：将版盒打开，开口方向背对自己，将光刻版正面朝下，箭头朝左下方，扣上版盒，准备曝光

③、上版与对版：RTLD〉RCHG/NFILENAME=C：MK609-RETICLENAME=M2EXECUTE？

④、曝光操作：一次曝光为NEXPFEXP〉PRNT/IO。。PARAMETERCHECKCOMPLETE(「Y」ORN)=_N_找到EXP.TIME=按“空格”修改曝光时间（见下页“曝光时间确定表”）HOWMANYWAFERS=_1_待片子上到载片台后，手动对准标记进行曝光，显影，检验，确认无误后，对硅片继续进行曝光

曝光时间确定表所用胶型加工步型曝光氧化湿法腐片200ms~500ms200ms~500ms200ms~500ms100ms~300ms200ms~400ms200ms~400ms200ms~460ms200ms~400ms500ms~700ms500ms~1000ms胶注入片氧化硅（孔）（点）正胶氧化湿法腐片胶注入片氧化硅（孔）（点）

?显影目的：将未感光部分的负性光刻胶溶除，留下感光部分的胶膜；将感光部分的正性光刻胶除，留下未感光部分的胶膜注意事项：①、检查N压力不低于22PSI，真空2压力必须大于22或23Hg/cm2,显影液压力调制15PSI②、检查显影液是否够，若不够，要及时添加③、机器若出现故障，及时通知班长或技术员

光刻胶性质加工步骤氧化层，氮化硅层，铝，压点显影程序号热板程序号1#1#负胶光刻后带胶注入铝层1#2#1#2#1#1#正胶氧化层，氮化硅层PI钝化层手动20秒l注意：氧化层光刻后带胶注入的片子一定要走热盘

?显影后检查目的：确定光刻胶成像情况及表面情况是否符合要求，以确定能否进行下道工序基本步骤：①、UV灯下检查光刻胶是否有划伤、沾污或覆盖不完全的情况②、显微镜下检查是否没有光刻胶图形、重复曝光、浮胶、图形套偏（错行，错位）、接触不

u思考题1、匀正式片之前为什么要泡胶嘴、走陪片？2、曝光时先曝光一片进行试片，你认为是否有必要，为什么？3、光刻后带胶注入的片子为什么要走热盘？