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填空’简答20’判断10’综合50’

第一单元

1.必定温度，杂质在晶体中拥有最大均衡浓度，这一均衡浓度就称为何？

固溶度

2.按制备时有无使用坩埚分为两类，有坩埚分为？无坩埚分为？（P24）

有坩埚：直拉法、磁控直拉法

无坩埚：悬浮区熔法

3.外延工艺按方法可分为哪些？（P37）

气相外延、液相外延、固相外延和分子束外延

4.Wafer的中文含义是什么？当前常用的资料有哪两种？

晶圆；硅和锗

5.自混杂效应与互扩散效应（P47-48）

左图：自混杂效应是指高温外延时，高混杂衬底的杂质反扩散进入气相界限层，又从界限层

扩散掺入外延层的现象。自混杂效应是气相外延的本征效应，不行能完好防止。

自混杂效应的影响：

○1改变外延层和衬底杂质浓度及散布

○对p/n或n/p硅外延，改变pn结地点

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右图：互（外）扩散效应：指高温外延时，衬底中的杂质与外延层中的杂质相互扩散，惹起

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衬底与外延层界面邻近的杂质浓度迟缓变化的现象。

不是本征效应，是杂质的固相扩散带来（低温减小、消逝）

6.什么是外延层？为何在硅片上使用外延层？

1)在某种状况下，需要硅片有特别纯的与衬底有同样晶体构造的硅表面，还要保持对杂质类

型和浓度的控制，经过外延技术在硅表面堆积一个新的知足上述要求的晶体膜层，该膜层称

为外延层。

2)在硅片上使用外延层的原由是外延层在优化pn结的击穿电压的同时降低了集电极电阻，

在适中的电流强度下提升了器件速度。外延在CMOS集成电路中变得重要起来，由于跟着器

件尺寸不停减小它将闩锁效应降到最低。外延层往常是没有玷辱的。

7.常用的半导体资料为何选择硅？

1）硅的充裕度。硅是地球上第二丰富的元素，占地壳成分的25%；经合理加工，硅能够提

纯到半导体系造所需的足够高的纯度而耗费更低的成本。

2）更高的融化温度同意更宽的工艺容限。硅1412℃锗937℃。

3）更宽的工作温度。用硅制造的半导体件能够用于比锗更宽的温度范围，增添了半导体的

应用范围和靠谱性。

4）氧化硅的自然生成。氧化硅是一种高质量、稳固的电绝缘资料，并且能充任优良的化学

阻拦层以保护硅不受外面沾污；氧化硅拥有与硅近似的机械特征，同意高温工艺而不会产生过分

的硅片翘曲。

8.液相混杂浓度计算（P29）

第二单元

1.二氧化硅构造中的氧原子可分为哪几种？（P66）

桥键氧原子和非桥键氧原子

2.SiO的遮蔽作用

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