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摘要
自从2004年Graphene被分离后，就得到很多人的关注.Graphene中有很多有趣的发现，比如量子反常霍尔效应、Klein隧道效应、等离激元、弹道电荷输运和最小的电导率.使用石墨、氮化硼、碳化硅等作为底层形成一维的异质底层下石墨烯超晶格.依据哈密顿的平移不变性和波函数的连续性得到传递矩阵，色散关系也就随之得到，就能分析能带结构和零能模式.电子能带结构和能隙宽度均与异质底层的比例有关，通过态密度讨论了相同底层比例下能隙和电子能量与态密度之间的关系.基于零能模式分析了能带结构、态密度、电导和Fano因子与静电势之间的关系.隧穿几率依赖于能隙宽度和静
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