半导体物理_电子科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年.pdfVIP

半导体物理_电子科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库

2023年

1.对应于n型半导体，电子为（）

参考答案:

多子

2.硅肖特基二极管的特点（）

参考答案:

开关速度快_不存在少子存储效应_反向泄漏电流较PN结二极管大

3.施主杂质能级的作用包括以下（）

参考答案:

提供导带电子_散射中心

4.考虑镜像力后，金属半导体接触的势垒高度将()

参考答案:

降低

5.密勒指数是描写布喇菲点阵中晶面方位的一组互质的整数。

参考答案:

正确

6.半导体中载流子的电输运包括（）。

参考答案:

漂移_扩散

7.某Si半导体掺有2×10^17cm^-3的硼原子以及3×10^16cm^-3的磷原子，

那么此Si半导体主要是（）导电。

参考答案:

空穴

8.在纯Ge中掺入下列（）元素，Ge将变为p型半导体。

参考答案:

In

9.电子的漂移电流的方向，与()相同。

参考答案:

电场方向

10.室温下，n-Si中的电子浓度为空穴浓度的10000倍，则其费米能级位于

（）。

参考答案:

禁带中线之上

11.决定半导体的载流子迁移率的因素有（）。

参考答案:

电导有效质量_温度

12.对于工作在强电场下（达到速度饱和）的本征半导体，决定其迁移率的主要

的散射机制是（）。

参考答案:

光学波声子散射

13.下列关于硅的电子电导率的描述正确的是（）。

参考答案:

室温下，同一块本征硅的电子电导率比空穴电导率大

14.对于某均匀掺杂的半导体，若当体内某处电场与浓度梯度的方向相同时，多

子漂移电流密度与多子扩散电流密度方向相反，则该半导体的掺杂类型为

（）。

参考答案:

P型

15.下列情形中，室温下扩散系数最小的为()。

参考答案:

含硼、磷的硅

16.在某温度范围内，一定掺杂的硅的电阻率随温度升高而增大，涉及的物理机

理有（）。

参考答案:

晶格散射为主_杂质完全电离

17.电子迁移率通常高于空穴迁移率，这是由于电子电导有效质量（）空穴电

导有效质量。

参考答案:

小于

18.假设其它条件不变，可以通过（）降低半导体材料的电阻率。

参考答案:

提高掺杂浓度_采用迁移率高的半导体材料_采用禁带宽度窄的半导体材料

19.连续性方程所描述的物理现象包括（）。

参考答案:

载流子的漂移、扩散_载流子的复合_载流子的产生

20.对于非理想的MIS结构，当半导体功函数小于金属功函数时，引起平带电

压为（）；当绝缘层中存在负电荷时，若电荷密度（），或者电荷分布越

（）金属一侧，平带电压的绝对值越大。

参考答案:

负值，越大，远离

21.在MIS结构的金属栅极和半导体上加一变化的电压，在栅极电压由负值增

加到足够大的正值的的过程中，如半导体为P型，则在半导体的接触面上

依次出现的状态为()。

参考答案:

多数载流子堆积状态，多数载流子耗尽状态，少数载流子反型状态

22.在纯Si中掺入下列（）元素，Si将变为n型半导体。

参考答案:

As

23.C、Si、Ge晶体都属于闪锌矿型结构。

参考答案:

错误

24.最有效的复合中心在费米能级附近。

参考答案:

错误

25.载流子跃迁前后在（）所对应的波数(ke)的位置与价带顶所对应波数(kh)不

同的能隙类型称为间接能隙，相应的半导体称为间接能隙半导体。

参考答案:

导带底

26.载流子跃迁前后在（）所对应的波数(ke)与价带顶所对应波数(kh)相同的

能隙类型称为直接能隙，相应的半导体称为直接能隙