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《高迁移率半导体材料的自旋注入》篇一

一、引言

在半导体器件的发展历程中，随着电子科技的日新月异，半导体材料以其独特性质成为了关键的基础技术之一。特别是在新一代的信息科技革命中，高迁移率半导体材料由于其高效率的电荷传输能力，受到了广泛的关注。同时，自旋注入技术作为一种新兴的电子自旋调控手段，在半导体材料中具有巨大的应用潜力。本文将重点探讨高迁移率半导体材料的自旋注入技术及其应用前景。

二、高迁移率半导体材料概述

高迁移率半导体材料具有高电荷传输能力和优秀的物理性质，主要涉及到的主要包括如碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、二硫化钨（WS2）等新兴的宽禁带材料。这些材料具有出色的导电性能、高温稳