YJ扬杰SiC MOSFET YJD212080B7GH规格说明书.pdf

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人RoHSs

YJD212080B7GHcowpuiawr

SiliconCarbidePowerMOSFET〈N-ChannelEnhancement)

1200V

Features

5315AseHighspeedswitching

Rosen80maeEssentiallynoSwitchinglosses

eReductionofheatsinkrequirements

esMaximumworkingtemperatureat175C

seHighbleckingvoltage

eFastIntrinsicdiodewithlowrecoverycurrent

esHigh-frequencyoperation

seHalogenfree,RoHScompliant

TypicalApplications

Typicalapplicationsareinpowerfactorcorrection(PFC),solar

inverteruninterruptiblepowersupply,motordrives,photovoltaic

inverterelectriccarandcharger.

D(TAB)

MechanicalData

G(1)ePackage:TO-263-7L

eTerminals:Tinplatedleads

ePolarity:Asmarked

S(3,4.5,6,7)

@MaximumRatings(Tc=25CUnlessotherwisespecified)

PARAMTETERSYMBOL|UNITVALUETESTCONDITIONSNOTE

DevicemarkingcodeD212080B7GH

Drainsourcevoltage

@TF25C3VpsmaxV1200Ves=0V,lo=100uA

GatesourcevoltageAbsolutemaximumvalues

@TF25C区-10/+25(ACf1Hz,dutycycle190)Note1

Gatesourcevoltage1

@TF25CVesonV-5/+20Recommendedoperat

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