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半导体物理(wùlǐ)与器件公式以及参数

SI材料(cáiliào)的禁带宽度为：1.12ev.硅材料(cáiliào)的

Ge材料的GaAs材料的

介电弛豫时间函数：瞬间给半导体某一表面增加某种载流子，最终

达到电中性的时间，，最终通

过证明这个时间与普通载流子的寿命时间相比十分的短暂，由此就

可以证明准电中性的条件。

，

重新定义的是存在过剩载流子时的准费米能级。

准费米能级：半导体中存在过剩载流子，则半导体就不会处于热平

衡状态，费米能级就会发生变化，定义准费米能级。

用这两组公式求解问题。

通过计算可知，电子的准费米能级高于，空穴的准费米能级低

于，对于多子来讲，由于载流子浓度变化不大，所以准费米能

级基本靠近热平衡态下的费米能级，但是对于少子来讲，少子浓度

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发生了很大的变化，所以费米能级有相对比较大的变化，由于注入

过剩载流子，所以导致各自的准费米能级都靠近各自的价带。

过剩(guòshèng)载流子的寿命：

半导体材料(cáiliào)：半导体材料多是单晶材料，单晶材料的电

学特性不仅和化学组成相关(xiāngguān)而且还与原子排列有关

系。半导体基本分为两类，元素半导体材料和化合物半导体材料。

GaAs主要用于光学器件或者是高速器件。

固体的类型：无定型（个别原子或分子尺度内有序）、单晶（许多

原子或分子的尺度上有序）、多晶（整个范围内都有很好的周期

性），单晶的区域成为晶粒，晶界将各个晶粒分开，并且晶界会导

致半导体材料的电学特性衰退。

空间晶格：晶格是指晶体中这种原子的周期性排列，晶胞就是可以

复制出整个晶体的一小部分晶体，晶胞的结构可能会有很多种。原

胞就是可以通过重复排列形成晶体的最小晶胞。三维晶体中每一个

等效的格点都可以采用矢量表示为，其中矢量

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称为晶格常数。晶体中三种结构，简立方、体心立方、面

心立方。

米勒指数，对所在(suǒzài)平面的截距取倒数在进行通分，所有平

行平面的米勒指数相等，平面集的计算(jsuìàn)方式。

晶向表示的是某条射线的方向，在简立方体重相同(xiānɡtónɡ)

数值的米勒指数的晶向和晶面是相互垂直的。

金刚石结构：Ge和硅具有金刚石结构，一个原子周围通过共价键

和其余的四个原子相连接。金刚石结构指的是由同种原子组成的结

构，金刚石总共有8个原子，6个面心原子，四个晶体内部的原

子。金刚石的体积是.

原子共价键：热平衡系统的总能量趋于达到某个最小值，原子间的

相互作用力以及所能达到的最小能量取决与原子团或原子类型。四