YJ扬杰SiC MOSFET YJD212080NCFGG2规格说明书.pdf

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RoHS

YJD212080NCFGG2cowpuiawr

SiliconCarbidePowerMOSFET〈N-ChannelEnhancement)

1200V

lo28C，38AFeatures好和

seHighspeedswitching

Rosecn70moeEssentiallynoSwitchinglosses

eReductionofheatsinkrequirements

esMaximumworkingtemperatureat175C

seHighbleckingvoltage

eFastIntrinsicdiodewithlowrecoverycurrent

esHigh-frequencyoperation

seHalogenfree,RoHScompliant

TypicalApplications

Typicalapplicationsareinpowerfactercorrection(PFC),solar

Drain=inyerteruninterruptiblepowersupply,motordrives,photovoltaic

inverterelectriccarandcharger.

MechanicalData

和Package:TO247-4L

GalteeTerminals:Tinplatedleads

三三记sePolarity:Asmarked

Driver

Souree

4Pin3Power

二与

Souree

@MaximumRatings(Tc=25CUnlessotherwisespecified)

PARAMTETERSYMBOL|UNITVALUETESTCONDITIONSNOTE

DevicemarkingcodeD212080NCFGG2

Drainsourcevoltage

@TF25C3VpsmaxV1200Ves=0V,lo=100uA

Gatesourcevoltage，

@TF25CVesmaxV-8/+22Absolutem

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