AP0903GD深圳恒锐丰科技.pdf

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AP0903GD

DualN-ChannelEnhancementMosfet

Features

⚫4

（）9.0mΩ＠V=10VTYP:8.0mΩ

ONGS

R（）16mΩ＠V=4.5VTYP:10.0mΩ

DSONGS

⚫AdvancedTrenchtechnology

⚫ExcellentRDS(ON)andLowGateCharge

⚫Fastswitchingspeed

0903GD

Applications

⚫LoadSwitch

⚫PWMApplication

⚫Powermanagement

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity(PCS)

0903GDAP0903GDPDFN5X6-D--5000

ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(T=25℃unlessotherwisenoted)

ParameterSymbolValueUnit

Drain-SourceVoltageVDS30V

Gate-SourceVoltageVGS±20V

ContinuousDrainCurrent(T=25℃)I40A

ContinuousDrainCurrent(T100℃)I28A

PulsedDrainCurrent(1)IDM160A

SinglePulsedAvalancheEnergy(2)EAS100mJ

PowerDissipation(T=25℃)P30W

专注MOS

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