半导体行业市场前景及投资研究报告：刻蚀设备，制程微缩，3D趋势，市场空间拓宽.pdf

证券研究报告

半导体行业深度报告

领先大市-A（维持）

华金证券电子团队一走进“芯”时代系列深度之八十八“刻蚀设备”

制程微缩叠加3D趋势，刻蚀设备市场空间持续拓宽

——半导体设备系列报告之刻蚀设备

2024年9月24日

核心观点

u受益制程微缩3D趋势，刻蚀设备成为第一大半导体设备。随着线宽的持续减小和3D集成电路的发展，刻蚀设备已跃居集成电

路采购额最大的设备类型。SEMI数据显示，全球刻蚀设备市场规模约210.44亿美元，占晶圆制造设备总市场规模的22%。由于

刻蚀工艺复杂、技术壁垒高，全球刻蚀设备市场集中度高；华经产业研究院数据显示，2021年全球刻蚀设备CR3超90%。

uCCP受益3D发展趋势，制程微缩推动ICP需求增长。干法刻蚀是目前主流的刻蚀技术，可分为电容性等离子体刻蚀（CCP）和

电感性等离子体刻蚀（ICP）两大类。CCP适用刻蚀硬介电材料以及孔/槽结构，其需求主要来自3DNAND等3D结构发展的推动；

ICP适用于刻蚀硬度低或较薄的材料以及挖掘浅槽，因此线宽持续减少是ICP需求主要推动力。中微公司和北方华创是国产刻蚀

设备龙头，分别在CCP和ICP领域占据领先地位。

u下游扩产趋势明确，器件结构多维度升级刺激需求。根据SEMI数据，中国大陆已连续四年成为全球最大半导体设备市场。

Gartner预计，2018-2025年中国大陆新建晶圆厂项目为74座，位居全球第一。下游明确的扩产趋势，叠加半导体全产业链迫切

的国产化需求，国产刻蚀设备迎来发展良机。器件结构多维度升级同步刺激需求。1）3DNAND/DRAM：高深宽比结构制造常

采用CCP刻蚀设备。2）逻辑：GAA晶体造需要准确且高选择性的SiGe各向同性刻蚀；通过刻蚀设备采用多重曝光技术成为

我国突破光刻极限关键手段。3）互连：HBM等多芯片堆叠结构以及背面供电架构均需构建TSV；深孔刻蚀是TSV的关键工艺，

其中Bosch刻蚀是首选技术，通常选择ICP刻蚀设备。

u建议关注标的：泛林集团、东京电子、应用材料三家全球半导体设备头部企业均实现了刻蚀、薄膜沉积等多产品线的布局，因此

我们认为平台化建设走在前列的企业更具竞争优势。北方华创致力于打造半导体设备平台型企业，布局刻蚀/薄膜沉积/清洗/热处

理四大应用领域，其中ICP突破12英寸各技术节点，CCP实现逻辑/存储/功率多关键制程覆盖。中微公司是国产刻蚀设备龙头，

CCP设备和ICP设备应用覆盖度分别达到94%和95%，同时布局薄膜沉积等其他设备，平台化建设持续推进。

u风险提示：宏观经济和行业波动风险，下游客户资本性支出波动较大及行业周期性特点带来的经营风险，下游客户扩产不及预期

的风险，市场竞争加剧风险，研发投入不足导致技术被赶超或替代的风险，研发方向存在偏差的风险等。

2

目录

1受益制程微缩3D趋势，刻蚀设备成为第一大半导体设备

0

23DNAND：堆叠层数竞赛开启，高深宽比刻蚀/多堆栈堆叠技术齐发展

0

3DRAM：制程迭代刻蚀难度显著提高，3DDRAM成未来发展趋势

0

4逻辑：高选择SiGe刻蚀实现GAA生产，多重曝光技术突破光刻极限

0

5TSV：TSV助力先进封装，刺激ICP刻蚀设备需求

0

6建议关注标的

0

7风险提