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摘要
GaInSb（0x1）晶体的晶格常数可通过改变其组分x值进行调整，因此
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可以匹配多种III-V族化合物半导体材料的晶格常数，成为外延器件的理想衬底
材料。其电学性质，例如禁带宽度、载流子浓度和电导率等，也可以通过组分x
值进行调节。因此，GaInSb（0x1）晶体在低阈值光伏电池、高量子效率红
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外探测器、激光器、光电通信等器件和设备中具有广泛的应用前景。但是I
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