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4英寸氮化镓单晶衬底行业运行态势分析及投资前景展望模板

氮化镓(GaN)主要是由人工合成的一种半导体材料,禁带宽度大于2.3eV,也称为宽禁带半导体材料。氮化镓最早是在1928年人工合成出来的材料。但它的单晶生长很难,目前氮化镓衬底晶圆仍然偏贵。商业场景(LED/射频RF/功率器件)中使用的多是异质外延片。氮化镓器件所选用的衬底主要有Si、SiC、GaN、蓝宝石等,在此基础上进行氮化镓的同质外延或异质外延。

GaN单晶衬底是外延GaN最理想的衬底,缺陷密度低,外延材料质量好。但GaN单晶生长设备要求高,控制工艺复杂,位错缺陷密度较高,良率较低,且相关技术发展较慢,GaN衬底片成本较高,应用受到

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