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离子注入
??????DistributionaccordingtoerrorfunctionDistributionaccordingtoGaussianfunction
什么是离子注入离子注入的基本过程
???????尤其是超低能量离子注入机
靶离子源，BF2F,BF，BF++3
源（Source）：气体源BF，BClPH，AsH33，33离子源（IonSource）：
非平衡
LSS理论——非晶靶
阻止本领（stoppingpower）q核阻止本领q电子阻止本领
能量为E的入射粒子在密度为N的靶内走过x距离后损失的能量
??两体碰撞电荷作用
注入分布的尾端
nnn
表面处晶格损伤较小射程终点（EOR）处晶格损伤大
非晶靶中注入离子的浓度分布R在靶内的总路线长度离子RpR在入射方向上的投影射程分布?R：标准偏差（Straggling），投影射程的平均偏差p?R：横向标准偏差（Traversestraggling）,垂直于入射方向?平面上的标准偏差。
Rp?Rp?R?
Q可以精确控制。I＝0.01mA～mAm每秒剂量达1013/cm2
已知注入离子的能量和剂量，估算注入离子在靶中的浓度和结深
注入离子的真实分布
横向效应垂直于入射方向平面横向效应影响MOS晶体管的有效沟道长度。
注入掩蔽层——掩蔽层应该多厚？
余误差函数
典型离子注入参数
精确控制掺杂，浅结、浅掺杂，纯度高，低温，多种掩模，…？非晶靶。能量损失为两个彼此独立的过程(1)核阻止与(2)电子阻止之和。能量为E的入射粒子在密度为N的靶内走过x距离后损失的能量。？掩膜层能完全阻挡离子的条件：
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