半导体器件加工规范编制说明.docxVIP

团体标准

《半导体器件加工规范》编制说明

团标制定工作组

二零二四年二月

一、工作简况

（一）任务来源

根据2020年全国标准化工作要点，大力推动实施标准化战略，持续深化标准化工作改革，加强标准体系建设，提升引领高质量发展的能力。为响应半导体行业不断进步的工艺要求，需要制定完善的半导体器件加工规范。依据《中华人民共和国标准化法》，以及《团体标准管理规定》相关规定，中国中小商业企业协会决定立项并联合无锡科瑞泰半导体科技有限公司等相关单位共同制定《半导体器件加工

规范》团体标准。

（二）编制背景及目的

半导体器件的制造、加工是指将单晶硅材料加工成符合要求的半导体器件的过程。晶圆加工是半导体工业中最关键的环节之一，对晶

圆质量和性能的影响非常大。

晶圆切割(即划片)是半导体器件加工中一道不可或缺的工序，在晶圆加工中属于后道工序。晶圆切割就是将做好芯片的整片晶圆按芯片大小分割成单一的芯片(晶粒)。如今，切片的工艺要求变得越来越高。切割迹道变得越窄，可能充满测试用衰耗器(testpad)，并且刀片可能需要切割由不同材料制成的各种涂敷层。在这些条件下达到最大的切片工艺合格率和生产率要求认真的刀片选择和先进的工艺控

制能力。

蚀刻是通过化学反应将不需要的材料从晶圆上去除的过程。蚀刻可以选择性去除晶圆上的不同材料，形成所需的器件结构。刻蚀工艺就是结合物理和化学方法以形成微细图案的半导体制程工艺的核心。刻蚀虽然不能像光刻机一样，直接绘制精密的图形，但可通过调节气

体比例、温度、电场强度和气压等各种参数，使晶圆的数千亿个晶体

管具有相同的图形。近来，以进一步升级光刻机来提高密度的方法已

达到了瓶颈。刻蚀工艺的重要性自然更加突显。

本项目旨在借助标准化手段，针对项目所属细分行业的特点，制定相应的标准，填补本行业标准空白，从而规范半导体器件的加工工

艺流程，促进产业标准化应用水平升级，引领行业高质量发展。

（三）编制过程

1、项目立项阶段

2024年01月，无锡科瑞泰半导体科技有限公司向中国中小商业企业协会提交立项申请。按照“中国中小商业企业协会关于《苏扇绢宫扇制作工艺规范》团体标准立项的公告”要求，成立了标准起草工

作组。

2、理论研究阶段

工作组对苏扇绢宫扇制作工艺的传承现状与发展情况进行了全面调研，同时广泛搜集和检索了非物质文化遗产中制扇相关的技术资

料，并进行了大量专业论证工作。

3、标准起草阶段

标准起草工作组根据标准起草的需要，进行分工。在广泛调研、

论证的基础上，编制了《半导体器件加工规范》标准草案。

4、标准征求意见阶段

形成标准草案稿之后，起草组召开了多次专家研讨会，从标准框架、标准起草等角度广泛征求多方意见，从理论完善和实践应用方面提升标准的适用性和实用性。经过理论研究和技术验证，明确和规范半导体器件加工的技术要求。于2024年02月底提交《半导体器件加工规范》标准征求意见稿及征求意见稿编制说明，拟定于2024年03

月网上公示征求意见稿，广泛征求各方意见和建议。

5、专家审核

拟定于2024年04月召集专家审核标准，汇总专家审核意见之后，

修改标准并发布。

6、发布

拟定于2023年04月发布标准并实施。

（四）主要起草单位及起草人所做的工作

1、主要起草单位

无锡科瑞泰半导体科技有限公司、××××、××××。

2、工作内容

标准工作的总体策划、组织；立项及协调工作组工作；标准文本及编制说明的起草和编写；协助标准文本及编制说明的编写；对相

关标准的调研和搜集；对苏扇绢宫扇制作工艺技术要求的验证等。

二、标准编制原则和主要内容

（一）标准制定原则

本文件的制定符合产业发展和市场需要原则，本着先进性、科学性、合理性、可操作性、适用性、一致性和规范性原则来进行本文件

的制定。

本文件起草过程中，主要按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则

第1部分：标准化文件的结构和起草规则》进行编写。

（二）标准主要技术内容

本标准征求意见稿包括7个部分，主要内容如下：

1、范围

介绍本文件的主要内容以及本文件所适用的领域。

2、规范性引用文件

列出了本文件引用的标准文件。

3、术语和定义

列出了本文件所界定的术语和定义。

4、缩略语

对文件中使用的缩略语进行解释。

5、一般要求

对半导体器件加工的环境、人员、材料、设备、仪器和工具提出

相关要求。

6、加工工艺

主要包括晶圆切割和挑粒工艺，对晶圆切割加工工艺的作业准备、贴膜、划片切割、清洗、UV处理和检验进行规范，对挑粒的作业准

备和作业要求进行规范。

7、标识、记录、包装和贮存

规定了加工完成的半导体器件的标识、记录、包装和贮存。

三、主要试验（或验证）情况分析

结