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《单片机原理及应用》编程题题库
六、编程（每题10分）
内部RAM30H和31H单元中存放着2个0-9的ASCII码（高位字节在前），请将其转换为压缩BCD码（高位在前）并存入外部RAM2300H单元中。
将存放在内部RAM30H-35H单元的压缩型BCD码转换成相应的ASCII码，依次存放到外部RAM2100H开始的单元区中。
内部RAM20H和30H开始的单元分别存放着16个16进制数，请将对应单元的内容相加（不考虑溢出），并将和存入外部RAM2000H开始的单元中。
请编写多字节无符号数减法程序。被减数存放在内部RAM20H开始的8个单元中，减数存放在内部RAM30H开始的8个单元，请将差存放到外部RAM2000H开始的8个单元中，借位存放到OV标志中。注意：所有数据均按照从低字节到高字节的顺序存放。
内部RAM40H和41H单元中存放着2个0-9的ASCII码（高位字节在前），请将其转换为压缩BCD码（高位在前）并存入外部RAM2000H单元中。
将存放在内部RAM20H-2FH单元的压缩型BCD码(高位在前)转换成相应的ASCII码，依次存放到外部RAM1000H开始的单元区中。
内部RAM30H和38H开始的单元分别存放着8个压缩BCD码，请将对应单元的内容相加（不考虑溢出），并将和存入外部RAM1000H开始的单元中。
请编写多字节无符号数加法程序。被加数存放在内部RAM20H开始的8个单元中，加数存放在内部RAM30H开始的8个单元，请将和存放到外部RAM2000H开始的8个单元中，进位存放到F0标志中。注意：所有数据均按照从低字节到高字节的顺序存放。
两个8字节压缩BCD码分别存放在内部RAM30H和40H开始的连续单元中（低位字节在前），请将二者求和（不考虑溢出情况），并将和存入外部RAM1000H开始的单元中。
将存放在内部RAM20H-2FH单元的十六进制数转换成ASCII码，依次存放到外部RAM2000H开始的单元中。
内部RAM30H和外部RAM2200H开始的单元分别存放着两个8字节十六进制数（低位字节存放在前），请将二者相加（不考虑溢出情况），并将和存入内部RAM40H开始的单元中。
请编写多字节无符号数减法程序。被减数存放在内部RAM30H开始的8个单元中，减数存放在内部RAM38H开始的8个单元，请将差存放到外部RAM1000H开始的8个单元中，借位存放到F0标志中。注意：所有数据均按照从低字节到高字节的顺序存放。
请编写多字节无符号数减法程序。被减数存放在内部RAM20H开始的16个单元中，减数存放在内部RAM30H开始的16个单元，请将差存放到外部RAM2000H开始的16个单元中，借位存放到OV标志中。注意：所有数据均按照从低字节到高字节的顺序存放。
将存放在内部RAM20H-3FH单元的压缩BCD码转换成ASCII码，依次存放到外部RAM2300H开始的单元中。（注：每个单元均先转换高四位）
将存放在内部RAM30H-35H单元的十六进制数转换成相应的ASCII码，依次存放到外部RAM1100H开始的单元区中。（注：每个字节转换时先转换高四位）
内部RAM30H开始的单元中存放着16个0-9的ASCII码（高位字节在前），请将其转换为压缩BCD码（高位在前）并存入外部RAM1000H开始的单元中。
设有两个长度为16字节的一维数组(数组的每个元素为1个字节)，分别存放在外部RAM0200H和0300H为首址的存储区域中，试编写程序求其对应项之和（不考虑溢出的情况），结果存放在以0400H为首址的外部RAM中。
编程求内部RAM中40H～4FH共16个单元中的内容的和（结果为2字节），并将和放入50H和51H单元中（高8位在50H）。
有一个长度为16字节的ASCII码字符串存放在外部RAM1000H为首址的存储区域中，字符串中的每一个字符均不相同，试编写程序查找字符串中是否存在ASCII码“9”。如果在字符串中存在ASCII码“9”，则将其存储单元的地址存放到内部RAM30H和31H单元中（高8位地址在30H单元中），同时将OV标志位清零。否则，将30H和31H单元的内容清零，并将OV标志位置“
有两个8字节的16进制数a和b，它们分别存放在内部RAM中30H～37H和40H～47H的单元中（高位字节在前）。请编程求a-b，并将差存入30H开始的内部RAM单元中（高位字节在前）。若差小于零则将F0标志位置“1”
若外部RAM的（3000H）=X，（3001H）=Y，编程实现Z=X*X+2Y，并将结果存
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