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摘要
GaN基半导体不仅禁带宽、击穿电压高，还具有直接带隙的特点，目前已在
LED、HEMT等光电和电力电子领域得到了广泛应用。一般来说，为了确保光品
质，GaN基LED采用电流模式进行驱动控制，而GaN基HEMT器件具有稳定
的饱和输出电流能力，因此可以用来驱动LED。但目前对于GaN基HEMT-LED
集成研究还处于起步阶段，很多问题都亟待解决。鉴于此，本论文针对GaN基
HEMT器件的性能及对LED的控制和单芯片集成进行了系统研究，取得的成果
如下：
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