GBT-光伏用半片硅单晶片.docxVIP

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ICS?29.045

CCSH82

团体标准

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光伏用半片硅单晶片

HalfMono-crystallineSiliconWafersforPVApplication

（预审稿）

FORMTEXTXXXX-FORMTEXTXX-FORMTEXTXX发布

FORMTEXTXXXX-FORMTEXTXX-FORMTEXTXX实施

发布中国有色金属工业协会

发布

中国有色金属学会???

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前??言

本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC203）、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）提出并归口。

本文件起草单位：常州时创能源股份有限公司。

本文件主要起草人：宫龙飞、XXX。

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光伏用半片硅单晶片

1范围

本文件规定了半片硅单晶片的牌号及分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单内容。

本文件适用于光伏用半片硅单晶片，产品用于制作太阳能电池的基底材料。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T1551硅单晶电阻率测定方法

GB/T1555半导体单晶晶向测定方法

GB/T2828.1-2012计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划

GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法

GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T6619硅片弯曲度测试方法

GB/T6620硅片翘曲度非接触式测试方法

GB/T11073硅片径向电阻率变化的测量方法

GB/T14264半导体材料术语

GB/T14844半导体材料牌号表示方法

GB/T25076太阳能电池用硅单晶

GB/T26068硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法

GB/T30859太阳能电池用硅片翘曲度和波纹度测试方法

GB/T30860太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法

GB/T30869太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法

YS/T28硅片包装

SJ/T11627太阳能电池用硅片电阻率在线测试方法

SJ/T11628太阳能电池用硅片尺寸及电学表征在线测试方法

SJ/T11631太阳能电池用硅片外观缺陷测试方法

3术语和定义

GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

半片硅单晶片，HalfMono-crystallineSiliconWafers

是指边宽为整片长边一半的矩形硅单晶片。

4牌号及分类

4.1牌号

硅片牌号的表示按GB/T14844的规定进行。

4.2分类

4.2.1硅片按导电类型分为p型、n型两种。

4.2.2硅片按标称尺寸主要可分为：166mm、182mm、210mm等系列规格，具体尺寸详见表2，其他尺寸可由供需双方协商确定。

5技术要求

5.1理化性能

硅片的晶体完整性、氧含量和碳含量应符合GB/T25076的规定。如有需要，由供方提供各项检验结果。

5.2几何参数

硅片的几何参数应符合表1的规定。

表1几何参数单位为：μm

厚度T[*]

允许偏差

总厚度变化

TTV

弯曲度

Bow

翘曲度

Warp

100≤T＜150

+20/-10

≤25（标称尺寸182半片）

≤50

≤50

≤30（标称尺寸210半片）

≤50

≤50

150≤T＜200

≤25

≤40

≤40

[*]厚度的增减量建议为5μm（或10μm）的整数倍。

5.3外形尺寸

硅片的外形如图1所示，尺寸应符合表2的规定。需方有其他要求时，由供需双方协商确定。

说明：

A——长度；B——宽度；E——倒角后的对角线长度；H——倒角长度；α——倒角角度

图1硅片外形示意图

表2硅片尺寸