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2022集成电路系统设计基础试卷

华南农业大学期末考试试卷

2022学年第1学期

考试类型：（开卷）考试时间：120分钟

学号姓名年级专业

一、选择题（本大题共10小题，每题2分，总计20分）

1．为了提高集成度所采取的途径不合适。

A．提高微细加工技术；B.晶圆大直径化；C.芯片面积缩小；D.简化

电路结构2．发明了世界上第一块集成电路，为此他在2000年获得诺贝

尔物理

学奖。

A．WilliamB.ShockleyB．WalterH.BrattainC．JackKilbyD．JohnBa

rdeen

3．在图案发生器法中，规定版图基本图形为矩形。每个矩形条用5

个参数进行

A．矩形高度HB．矩形宽度W

C．矩形左下角坐标某、YD．矩形宽度W所在的直线与某轴夹角

A5．下列集成电路有源器件工艺中，潜在速度最高的是：

A．CMOSB．NMOSC．BiCMOSD．GaA6．在工艺的晶体结构中存在大量可

高速迁移的电子即二维电子气。A．MESFETB．HBTC．HEMTD．MOS7．硅栅

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工艺出现后，MOS制作工艺得到了极大的改善，其原因主要是：A．形成

了自对准技术B．硅栅比铝栅成本低C．硅栅容易制作；D．器件集成度更

高

8．下列半导体集成电路工艺中不属于外延生长工艺的是

A．P－CVD；B.MOVPE；C.MBED.LPE9．下列集成电路设计的表示方法

中，不属于同类设计方法的是：A．CBIC；B.GA；C.ISPD.GS10．集成电路

设计的最终输出是：

A．电子产品；B.电路图；C.版图D.掩模

二、填空题（本大题共10小题，每题2分，总计20分）

1．描述集成电路工艺技术水平的五个技术指标为：、芯片面积、晶

片直径以及封装。

2．在衬底（或其外延）上制作晶体管的区域称为区；一种很厚的氧

化层，位于芯片上不做晶体管、电极接触的区域，称为区。3．摩尔定律

是：

4．IC设计单位不拥有生产线，称为IC制造单位致力于工艺实现，

没有IC设计实体，称为

6．根据不同，常把MOS器件分成增强型和耗尽型两种。7．IC工艺

中的“制版”就是要产生一套分层的版图掩模，为将来进行，即将设计的

版图转移到晶圆上去做准备。

8．薄层电阻又称方块电阻，其定义为正方形的半导体薄层，在电流

方向所呈现的电阻，常用欧姆每方表示。其值直接反映的是9．半导体集

成电路薄膜制备的主要工艺有：外延、。10．在单位电场强度作用下，载

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流子的平均漂移速度称为载流子的迁移率[cm2/VS]，它反映了载流子在半

导体内作定向运动的难易程度，其值的大小直

接影响

三、判断题，正确的在括号内打“√”，错误的打“某”（本大题共

10小题，每小题1分，总计10分）

1．在杂质半导体中多子的数量主要与温度有关。（）

2．在外加电压的作用下，P型半导体中的电流主要是电子电流。（）

3．掺杂材料与材料系统的区别在于：掺杂材料的掺杂原子比率很高，材

料系统的外来原子比率很低。（）

4．光刻胶可分为正性胶和负性胶两种，其中使用负性光刻胶时，未

感光部分能被适当的溶剂刻蚀，而感光的部分留下。（）

5．利用二氧化硅把各元件所在的区域包围起来实现隔离的技术称为

介质隔离。（）

6．在MOS及双极器件中