APG032N12T深圳恒锐丰科技.pdf

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APG032N12T

N-ChannelEnhancementMosfet

Features

⚫120V,211A

R（）3.2mΩ＠V=10VTYP:2.8mΩ

DSONGS

R（）3.9mΩ＠V=6VTYP:3.4mΩ

DSONGS

⚫Surface-mountedpackage

⚫SuperTrench

Applications

⚫Highpowerinvertersystem

⚫LCDTVappliances

⚫LCDMappliances

TOLL-8L

1Gate(G)

2,3,4,5,6,7,8Source(S)

9Drain(D)

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity(PCS)

G032N12TAPG032N12TTOLL-8L--2000

ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(T=25℃unlessotherwisenoted)

ParameterSymbolValueUnit

Drain-SourceVoltageVDS120V

Gate-SourceVoltageVGS±20V

ContinuousDrainCurrent(Tc=25℃)(1)ID211A

ContinuousDrainCurrent(Tc=100℃)(1)ID149A

PulsedDrainCurrent(1,2)IDM700A

专注MOS

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