APG52P10K深圳恒锐丰科技.pdf

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APG52P10K

P-ChannelEnhancementMosfet

Features

⚫-100V,-35A

R()52mΩ@V=-10VTYP:40mΩ

DSONGS

R()62mΩ@V=-4.5VTYP:44mΩ

DSONGS

⚫AdvancedSplitGateTrenchTechnology

⚫ExcellentRDS(ON)andLowGateCharge

⚫Leadfreeproductisacquired

ApplicationsG52P10K

⚫LoadSwitch

⚫PWMApplication

⚫Powermanagement

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity(PCS)

G52P10KAPG52P10KTO-25213inch-2500

ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(T=25℃unlessotherwisenoted)

a

ParameterSymbolValueUnit

Drain-SourceVoltageVDS-100V

Gate-SourceVoltageVGS±20V

ContinuousDrainCurrent(TC=25℃)ID-35A

ContinuousDrainCurrent(TC=100℃)ID-23A

PulsedDrainCurrent(1)IDM-140A

SinglePulsedAvalancheEnergy(2)EAS87mJ

DrainPowerDissipationPD140W

ThermalResistancefromJunctiontoCase(2)RθJC1.1℃/W

JunctionTemperatureTJ150

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