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DRAM工作原理
DRAM工作原理
DynamicRandomAccessMemoryEachcellisacapacitor+atransistorVerysmallsizeSRAMusessixtransistorspercellDividedintobanks,rowscolumnsEachbankcanbeindependentlycontrolledDRAM
MainMemoryEverythingthathappensinthecomputerisresidentinmainmemoryCapacity:around100Mbyteto100GbyteRandomaccessTypicalaccesstimeis10-100nanosecondsWhyDRAMforMainMemory????Costeffective(smallchipareathanSRAM)??HighSpeed(thanHDD,flash)??HighDensity(~Gbyte)??MassProduction……Mainmemory
Notation:K,M,G??Instandardscientificnomenclature,themetricmodifiersK,M,andGtorefertofactorsof1,000,1,000,000and1,000,000,000respectively.??ComputerengineershaveadoptedKasthesymbolforafactorof1,024(210)??K:1,024(210)??M:1,048,576(220)??G:1,073,741,824(230)??DRAM’density??256M-bit??512M-bit
DRAMDensity
WhatisaDRAM???DRAMstandsforDynamicRandomAccessMemory.??RandomaccessreferstotheabilitytoaccessanyoftheinformationwithintheDRAMinrandomorder.??Dynamicreferstotemporaryortransientdatastorage.Datastoredindynamicmemoriesnaturallydecaysovertime.Therefore,DRAMneedperiodicrefreshoperationtopreventdataloss.
Memory:DRAMposition??Semiconductormemorydevice??ROM:Nonvolatile??MaskROM??EPROM??EEPROM??Flash??NAND:lowspeed,highdensity??NOR:highspeed,lowdensity??RAM:Volatile??DRAM:DynamicRandomAccessMemory??SRAM:StaticRandomAccessMemory??PseudoSRAM
DRAMTrend:Future??HighSpeed-DDR(333MHz~500MHz),DDR2(533~800Mbps),DDR3(800~1600Mbps)-Skew-delayminimizedcircuit/logic:post-chargelogic,wave-pipelining-NewArchitecture:multi-bankstructure,highspeedInterface??LowPower-5.5V=3.3V(sdr)=2.5V(ddr)=1.8V(ddr2)=1.5v(ddr3)=1.2v?-SmallvoltageswingI/Ointerface:LVTTLtoSSTL,opendrain-LowPowerDRAM(PASR,TCSR,DPD)??HighDensity-Memorydensity:32MB=64MB=.....1GB=2GB
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