APG007N06T深圳恒锐丰科技.pdf

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APG007N06T

N-ChannelEnhancementMosfet

Features

⚫60V,500A

R()0.70mΩ@V=10VTYP:0.6mΩ

DSONGS

R()1.25mΩ@V=6VTYP:1.06mΩ

DSONGS

⚫Surface-mountedpackage

⚫SuperTrench

⚫MSL1

⚫Tjmax175℃

Applications

⚫E-Toolappliances

⚫Highpowerinvertersystem

⚫BMSappliances

⚫InverterappliancesTOLL-8L

1Gate(G)

PackageMarkingandOrderingInformation2,3,4,5,6,7,8Source(S)

9Drain(D)

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity(PCS)

G007N06TAPG007N067TOLL-8L--2000

ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(T=25℃unlessotherwisenoted)

a

ParameterSymbolValueUnit

Drain-SourceVoltageVDS60V

Gate-SourceVoltageVGS±20V

ContinuousDrainCurrent(TC=25℃)(2,3)ID500A

ContinuousDrainCurrent(TC=100℃)(2,3)ID350A

PulsedDrainCurrent(1,2,3)IDM1600A

SinglePulsedAvalancheEnergy(VDD=50V,

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