APG050N15D7深圳恒锐丰科技.pdf

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APG050N15D7

N-ChannelEnhancementMosfet

Features

⚫150V,220A

R()5.0mΩ@V=10VTYP:4.5mΩ

DSONGS

R()6.0mΩ@V=6VTYP:5.0mΩ

DSONGS

⚫Surface-mountedpackage

⚫SuperTrench

⚫MSL1

⚫Tj175℃

Applications

⚫Highpowerinvertersystem4

⚫PowerToolappliances

⚫BMSappliances123567

TO-263-7

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity(PCS)

G050N15D7APG050N15D7TO-263-7--800

ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(T=25℃unlessotherwisenoted)

J

ParameterSymbolValueUnit

Drain-SourceVoltageVDS150V

Gate-SourceVoltageVGS±20V

ContinuousDrainCurrent(Tc=25℃)(1)ID220A

ContinuousDrainCurrent(Tc=100℃)(1)ID95A

PulsedDrainCurrent(1)IDM552A

SinglePulsedAvalancheEnergy(Tc=25℃,L=1.0mH)(1)EAS1250mJ

DrainPowerDissipationPD250W

ThermalResistancefromJunctiontoCase(2)

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