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汽车用集成电路应力测试规范

1范围

本文件规定了汽车用集成电路加速环境应力试验、加速寿命模拟试验、封装完整性试验、晶圆可靠性试验、电气特性试验、缺陷筛选监测、气密性封装完整性试验要求，以及为保证汽车用集成电路满足预定用途所要求的质量和可靠性而必须的控制措施和限制条件。

本文件适用于汽车用集成电路可靠性试验和质量要求。注：本文中“用户”是指使用那些通过鉴定器件的所有客户。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注明日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的更改单）适用于本文件。

GB/T4937半导体器件机械和气候试验方法GB/T9178集成电路术语

GB/T14113半导体集成电路封装术语GB/T35005集成电路倒装焊试验方法GJB548微电子器件试验方法和程序GJB7677球栅阵列(BGA)试验方法

SJ21147.2集成电路电磁发射测量方法第2部分辐射发射测量—TEM小室和宽带TEM小室法

3术语和缩略语

下列术语和缩略语适用于本文件。

3.1术语和定义3.1.1

鉴定qualification

产品按规定的标准、程序和条件下所作的全部测试试验，来评估是否满足质量可靠性要求。3.1.2

封装形式packagetype

具有特定的外壳外形、结构、材料及组装工艺的封装类型。3.1.3

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供应商supplier

集器件设计、制造和封装等环节于一身的厂商或只负责设计与销售的厂商。3.1.4

静电放电敏感度分级electrostaticdischarge/ESD指一个器件易受静电损伤的程度。

3.1.5

任务剖面missionprofile

任务剖面是器件在汽车某一应用的全生命周期，完成某个特定任务时，基于时间所经历的事件和环境。

3.1.6

过程能力指数processcapabilityindex

过程能力指数表示过程能力满足技术标准（例如规格、公差）的程度，一般记为CPK。3.1.7

晶粒die

晶粒是指从硅晶圆上切割而成，还未封装前具有独立功能的一小块集成电路本体。

3.2缩略语

ADC（Analog-to-DigitalConverter）模数转换器

CMOS（ComplementaryMetalOxideSemiconductor）互补金属氧化物半导体DRAM（DynamicRandomAccessMemory）动态随机存取存储器

FIT（FailureInTime）时间故障率

NMOS（N-Metal-Oxide-Semiconductor）N型金属-氧化物-半导体SRAM（StaticRandom-AccessMemory）静态随机存取存储器

UBM（UnderBumpMetallurgy）凸点下金属层

4要求

4.1总则

汽车用集成电路通过本文件规定的应力测试能够指示在应用中能够提供一定水平的质量可靠性，用户也有责任核实所有的测试试验数据与本文件相一致。供应商应在产品规格说明书中尽量采用本文件所规定的工作温度等级。不同工作温度等级的集成电路应满足本文件所规定的各项应力测试的最低要求。为实现器件零缺陷的目标，汽车用集成电路产品工艺设计、产品设计、生产制造、和产品改进阶段，应该按零缺陷的策略。只有当通过本文件规定的全部测试试验项目后，供应商方可声明集成电路产品满足本文件规定的要求。供应商可以根据用户的要求，遵循本文件进行测试试验，可结合产线管控等系统级可靠性措施，向用户提供试验数据证明集成电路产品满足系统级可靠性要求。对于器件通过ESDHBM和ESDCDM，强烈推荐供应商将通过ESD电压级别在数据手册中标注，并将未通过的个别管脚列出，对于先

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进CMOS工艺节点（28nm及以下）和射频器件，尤其是ESDHBM水平低于2kV和ESDCDM水平低于750/500V的情况应予以标注。

为确保能够有效激发和加速器件的失效，试验条件选择应充分考虑以下因素：

a)各类失效机理；

b)实际使用无法暴露，但在某些应力试验条件下可能会诱发的失效；

c)任何超出常规的应用或使用条件，会对加速失效造成不利影响。

4.2工作温度等级

工作温度等级的规定如表1所示：

表1工作温度等级

等级

工作环境温度范围

0

-40℃至+150℃

1

-40℃至+125℃

2

-40℃至+105℃

3

-40℃至+85℃

如果应力