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AP19P015P
P-ChannelEnhancementMosfet
Feature
⚫-15V,-13A
R()12mΩ@V=-4.5VTYP=9.8mΩ
DSONGS
R()19mΩ@V=-2.5VTYP=14mΩ
DSONGS
⚫GoodstabilityanduniformitySchematicDiagram
⚫100%avalanchetested
⚫Excellentpackageforgoodheatdissipation
Application
⚫InterfacingSwitching
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⚫Powermanagement
DFN2X2
PackageMarkingandOrderingInformation
DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity(PCS)
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ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(T=25℃unlessotherwisenoted)
J
ParameterSymbolValueUnit
Drain-SourceVoltageVDS-15V
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ContinuousDrainCurrent(T=100℃)I-8.2A
CD
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PowerDissipationPD5.0W
ThermalResistancefromJunctiontoCase(4)RθJC25℃/W
JunctionTemperatureTJ
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