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APG007N08D7

N-ChannelEnhancementMosfet

Features

⚫80V,500A

R（）0.75mΩ＠V=10VTYP:0.63mΩ

DSONGS

R（）1.15mΩ＠V=6VTYP:0.93mΩ

DSONGS

⚫Surface-mountedpackage

⚫SuperTrench

⚫MSL1

⚫TJmax175℃

Applications

⚫E-Toolappliances

⚫Highpowerinvertersystem

⚫BMSappliances4

⚫Inverterappliances

123567

TO-263-7

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity(PCS)

G007N08D7APG007N08D7TO-263-7--800

ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(T=25℃unlessotherwisenoted)

ParameterSymbolValueUnit

Drain-SourceVoltageVDS80V

Gate-SourceVoltageVGS±20V

ContinuousDrainCurrent(TC=25℃)(2,3)ID500A

ContinuousDrainCurrent(TC=100℃)(2,3)ID200A

PulsedDrainCurrent(1,2,3)IDM1500A

SinglePulsedAvalancheEnergy(VDD=50V,L=0.1mH)(2)EAS3042mJ

DrainPowerDissipationPD500W

ThermalResistan

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